晶间距检测

检测项目

1.晶面指数测定：基于选区电子衍射（SAED）标定（001）、（110）等晶面族

2.原子层间距测量：精度0.01（如Si(111)面3.135）

3.晶体结构类型判定：BCC/FCC/HCP等结构识别

4.晶格畸变分析：局部应变测量范围5%

5.界面错配度计算：异质结界面位错密度≤10^6/cm

检测范围

1.半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)等晶圆

2.多晶金属材料：铝合金、钛合金等轧制板材

3.纳米功能材料：量子点、碳纳米管组装体

4.陶瓷复合材料：氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)烧结体

5.薄膜涂层材料：PVD/CVD沉积的硬质涂层

检测方法

1.ASTME112-13晶粒度测定标准方法

2.ISO16700:2019TEM显微分析校准规范

3.GB/T23414-2009微束分析术语标准

4.ASTMF1877-20半导体晶体缺陷表征规程

5.GB/T36075-2018纳米材料晶体结构XRD测试通则

检测设备

1.JEOLJEM-ARM300F场发射透射电镜：点分辨率0.08nm

2.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：Cu靶Kα辐射源

3.ThermoFisherScios2DualBeam聚焦离子束系统：定位精度5nm

4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器：角分辨率0.5

5.HitachiSU9000冷场发射扫描电镜：二次电子分辨率0.4nm@15kV

6.GatanOneViewCMOS相机：4k4k像素高速成像

7.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：Z轴分辨率0.1nm

8.RigakuSmartLab高分辨XRD系统：平行光路几何误差<0.0001

9.ZeissLSM900激光共聚焦显微镜：横向分辨率120nm

10.ShimadzuEPMA-8050G电子探针：波谱仪能量分辨率5eV

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"晶间距检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。