检测项目
1.空位浓度测定：测量范围110⁵~110⁰cm⁻，精度5%
2.迁移率分布分析：温度范围-196℃~1200℃，电场强度0.1~10kV/cm
3.激活能计算：通过Arrhenius方程拟合获得0.1~5.0eV能量值
4.缺陷复合速率：时间分辨率≤1ns，测试频率1MHz~10GHz
5.空间电荷层厚度：测量精度2nm，扫描步长0.5nm
检测范围
1.半导体材料：硅基/砷化镓/氮化镓晶圆及外延层
2.陶瓷材料：氧化锆/氧化铝/钛酸钡系功能陶瓷
3.电池材料：锂离子电池正极材料（NCM/LFP）及固态电解质
4.光学镀膜：TiO₂/SiO₂多层抗反射镀膜体系
5.金属氧化物：ZnO/SnO₂气敏传感器功能层
检测方法
1.ASTMF76-08(2020)：半导体材料霍尔效应测试标准
2.ISO14707:2015：辉光放电光谱法表面分析规范
3.GB/T13301-2019：金属材料电子顺磁共振测试通则
4.ISO21283:2018：扫描探针显微镜缺陷表征方法
5.GB/T38945-2020：透射电子显微镜选区衍射分析规程
检测设备
1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持AC/DC特性与C-V测试
2.ThermoFisherESCALABXi+X射线光电子能谱仪：表面化学态分析精度0.1at%
3.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：空间分辨率0.08nm
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：峰值力轻敲模式力控精度10pN
5.Agilent5500SPM系统：支持导电AFM与开尔文探针联用
6.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：低温等离子体处理系统（-150℃~500℃）
7.LakeShore8400系列霍尔效应测试系统：磁场强度1.5T
8.RenishawinViaQontor共聚焦拉曼光谱仪：空间分辨率200nm
9.HORIBALabRAMHREvolution显微PL系统：光谱分辨率0.35cm⁻
10.ZEISSCrossbeam550FIB-SEM双束系统：离子束加速电压30kV