检测项目

1.空位浓度测定：测量范围110⁵~110⁰cm⁻，精度5%

2.迁移率分布分析：温度范围-196℃~1200℃，电场强度0.1~10kV/cm

3.激活能计算：通过Arrhenius方程拟合获得0.1~5.0eV能量值

4.缺陷复合速率：时间分辨率≤1ns，测试频率1MHz~10GHz

5.空间电荷层厚度：测量精度2nm，扫描步长0.5nm

检测范围

1.半导体材料：硅基/砷化镓/氮化镓晶圆及外延层

2.陶瓷材料：氧化锆/氧化铝/钛酸钡系功能陶瓷

3.电池材料：锂离子电池正极材料（NCM/LFP）及固态电解质

4.光学镀膜：TiO₂/SiO₂多层抗反射镀膜体系

5.金属氧化物：ZnO/SnO₂气敏传感器功能层

检测方法

1.ASTMF76-08(2020)：半导体材料霍尔效应测试标准

2.ISO14707:2015：辉光放电光谱法表面分析规范

3.GB/T13301-2019：金属材料电子顺磁共振测试通则

4.ISO21283:2018：扫描探针显微镜缺陷表征方法

5.GB/T38945-2020：透射电子显微镜选区衍射分析规程

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持AC/DC特性与C-V测试

2.ThermoFisherESCALABXi+X射线光电子能谱仪：表面化学态分析精度0.1at%

3.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：空间分辨率0.08nm

4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：峰值力轻敲模式力控精度10pN

5.Agilent5500SPM系统：支持导电AFM与开尔文探针联用

6.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：低温等离子体处理系统（-150℃~500℃）

7.LakeShore8400系列霍尔效应测试系统：磁场强度1.5T

8.RenishawinViaQontor共聚焦拉曼光谱仪：空间分辨率200nm

9.HORIBALabRAMHREvolution显微PL系统：光谱分辨率0.35cm⁻

10.ZEISSCrossbeam550FIB-SEM双束系统：离子束加速电压30kV

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与负离子空位检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。