检测项目

1.锗含量测定：采用波长色散X射线荧光光谱法（WD-XRF），测量范围0.1%-50%，精度0.05%

2.硅含量测定：依据GB/T223.5-2020化学滴定法，分辨率达0.01wt%

3.氧含量分析：惰性气体熔融红外法（ASTME1409），检出限≤5ppm

4.晶格常数测量：X射线衍射仪（XRD）分析（ISO20203:2016），角度分辨率0.001

5.载流子浓度测试：霍尔效应测试系统（ASTMF76），温度范围77-400K

检测范围

1.半导体用GeSi外延片（Ge含量15-30%）

2.光伏电池GeSi基材（厚度100-500μm）

3.红外光学元件GeSi镀膜（膜厚1-20μm）

4.热电转换器件用梯度GeSi合金

5.核辐射探测器GeSi晶体材料

检测方法

1.GB/T20975.25-2020《铝及铝合金化学分析方法》扩展应用于GeSi体系

2.ASTME3061-17《硅基材料中痕量元素分析的标准化指南》

3.ISO14707:2015《辉光放电发射光谱法表面分析》

4.GB/T13301-2018《金属材料电阻系数测量方法》

5.JISH0605:2019《硅单晶中杂质浓度的红外吸收测定方法》

检测设备

1.X射线荧光光谱仪（XRF-2000）：元素定量分析（Na-U），检出限0.001%

2.高分辨透射电镜（TEM-JEM2100F）：晶格缺陷观测（分辨率0.14nm）

3.二次离子质谱仪（SIMS-CAMECAIMS7f）：深度剖析（纵向分辨率5nm）

4.四探针测试仪（RTS-9）：薄层电阻测量（量程10μΩcm-100MΩcm）

5.激光热导仪（LFA467）：热扩散系数测定（温度范围25-1000℃）

6.原子力显微镜（AFM-DimensionIcon）：表面粗糙度分析（垂直分辨率0.1nm）

7.辉光放电质谱仪（GD-MS-ELEMENTGD）：体材料杂质分析（ppb级灵敏度）

8.X射线光电子能谱仪（XPS-AxisSupra）：表面化学态分析（能量分辨率0.45eV）

9.低温霍尔测试系统（HCS-4）：载流子迁移率测量（磁场强度1T）

10.同步热分析仪（STA449F3）：热重-差热联用（升温速率0.01-50K/min）