1.纯度分析:采用电感耦合等离子体光谱法(ICP-OES)测定TeO₂含量≥99.5%,金属杂质总量≤0.03%
2.晶体结构表征:X射线衍射(XRD)验证晶胞参数a=5.210.02,c=12.450.03
3.热稳定性测试:热重分析(TGA)测定失重率≤0.5%(25-400℃区间)
4.元素比例测定:能量色散谱(EDS)确认Te:O:H原子比=1:3:20.05
5.表面形貌观测:扫描电镜(SEM)分析晶粒尺寸分布20-50μm占比≥85%
1.半导体基底材料用亚碲酸单晶
2.非线性光学器件镀膜原料
3.水热法合成亚碲酸多晶粉末
4.CVD法制备纳米级晶体薄膜
5.高能射线探测用闪烁晶体坯料
1.ASTME158-86(2021)金属氧化物纯度测试规程
2.ISO14720-1:2013非金属粉末元素分析方法
3.GB/T23274-2009二氧化碲化学分析方法
4.ISO20203:2006X射线衍射定量相分析标准
5.GB/T19421.12-2003晶体粒度分布测定规范
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备HyPix-3000探测器,角度分辨率0.0001
2.PerkinElmerTGA8000热重分析仪:温度精度0.5℃,最大载重1.5g
3.ThermoScientificiCAPPROICP-OES:波长范围166-847nm,检出限0.1ppb
4.HitachiSU5000场发射扫描电镜:分辨率1nm@15kV,放大倍数20-800,000
5.BrukerD8ADVANCEXRD系统:配备LYNXEYEXE-T探测器,扫描速度5000deg/min
6.MalvernMastersizer3000激光粒度仪:测量范围0.01-3500μm,重复性误差<1%
7.NetzschSTA449F5同步热分析仪:TG-DSC联用模式精度0.1μg
8.Agilent7900ICP-MS:质量数范围2-260amu,检出限达ppt级
9.OlympusBX53M偏光显微镜:配备DP27数码相机,放大倍率50-1000
10.ShimadzuUV-2600i分光光度计:波长范围185-900nm,带宽0.1-5nm可调
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"聚合亚碲酸晶体检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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