检测项目

•表面粗糙度：Ra值（0.1-0.5nm）、Rz值（1-5nm）

•厚度均匀性：公差0.5μm（6英寸晶圆）

•翘曲度：≤10μm/150mm

•晶体取向偏差：0.05（XRD测试）

•缺陷密度：≤5个/cm（激光扫描法）

•电阻率：0.001-10000Ωcm（四探针法）

•透光率：≥90%（可见光波段）

检测范围

•半导体衬底：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)单晶片

•化合物衬底：蓝宝石(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)

•光学衬底：熔融石英玻璃、氟化钙(CaF₂)、硒化锌(ZnSe)

•金属衬底：铜箔（厚度50-300μm）、钼片（纯度≥99.95%）

•柔性衬底：聚酰亚胺(PI)薄膜（厚度12.5-125μm）

检测方法

•ASTMF533-2018：半导体晶圆厚度测量标准

•ISO14707:2021：辉光放电光谱法成分分析

•GB/T19921-2022：晶圆表面缺陷激光散射检测

•ISO14646:2022：X射线衍射晶体取向测定

•GB/T39143-2020：原子力显微镜表面形貌测试

•ASTME112-2013：金相法测定晶粒度

•ISO4287:2023：触针式轮廓仪粗糙度测量

检测设备

•ZygoNewView9000：三维光学轮廓仪（分辨率0.01nm）

•BrukerD8Discover：高分辨X射线衍射仪（角度精度0.0001）

•KLASurfscanSP7：无图形晶圆缺陷检测系统（灵敏度50nm）

•MitutoyoLitematicVL-50：非接触式激光测厚仪（精度0.1μm）

•ThermoScientificiCAPRQICP-MS：电感耦合等离子体质谱仪（检出限ppt级）

•VeecoDimensionIcon：原子力显微镜（扫描范围90μm90μm）

•Agilent5500：扫描探针显微镜（热学/电学多模测量）

•HitachiSU5000：场发射扫描电镜（分辨率1.0nm@15kV）

•HoribaLabRAMHREvolution：显微拉曼光谱仪（空间分辨率200nm）

•FourDimensions4DModel280：四探针电阻率测试仪（量程10⁻-10⁵Ω/sq）