检测项目
•表面粗糙度：Ra值（0.1-0.5nm）、Rz值（1-5nm）
•厚度均匀性：公差0.5μm（6英寸晶圆）
•翘曲度：≤10μm/150mm
•晶体取向偏差：0.05（XRD测试）
•缺陷密度：≤5个/cm（激光扫描法）
•电阻率：0.001-10000Ωcm（四探针法）
•透光率：≥90%（可见光波段）
检测范围
•半导体衬底：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)单晶片
•化合物衬底：蓝宝石(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)
•光学衬底：熔融石英玻璃、氟化钙(CaF₂)、硒化锌(ZnSe)
•金属衬底：铜箔（厚度50-300μm）、钼片（纯度≥99.95%）
•柔性衬底：聚酰亚胺(PI)薄膜（厚度12.5-125μm）
检测方法
•ASTMF533-2018：半导体晶圆厚度测量标准
•ISO14707:2021：辉光放电光谱法成分分析
•GB/T19921-2022：晶圆表面缺陷激光散射检测
•ISO14646:2022：X射线衍射晶体取向测定
•GB/T39143-2020：原子力显微镜表面形貌测试
•ASTME112-2013：金相法测定晶粒度
•ISO4287:2023：触针式轮廓仪粗糙度测量
检测设备
•ZygoNewView9000：三维光学轮廓仪（分辨率0.01nm）
•BrukerD8Discover：高分辨X射线衍射仪（角度精度0.0001）
•KLASurfscanSP7：无图形晶圆缺陷检测系统（灵敏度50nm）
•MitutoyoLitematicVL-50：非接触式激光测厚仪（精度0.1μm）
•ThermoScientificiCAPRQICP-MS：电感耦合等离子体质谱仪（检出限ppt级）
•VeecoDimensionIcon：原子力显微镜（扫描范围90μm90μm）
•Agilent5500：扫描探针显微镜（热学/电学多模测量）
•HitachiSU5000：场发射扫描电镜（分辨率1.0nm@15kV）
•HoribaLabRAMHREvolution：显微拉曼光谱仪（空间分辨率200nm）
•FourDimensions4DModel280：四探针电阻率测试仪（量程10⁻-10⁵Ω/sq）