氟氧化铊检测

检测项目

1.主成分纯度测定：TlOF含量≥99.99%（质量分数），误差范围0.02%

2.杂质元素分析：Fe≤5ppm、Cu≤3ppm、Pb≤2ppm（ICP-MS法）

3.晶体结构表征：晶胞参数a=4.250.03、c=6.180.05（XRD法）

4.氧氟比测定：O/F摩尔比1:10.03（EDS结合化学滴定法）

5.热稳定性测试：TG-DSC联用分析（25-800℃升温速率10℃/min）

检测范围

1.光学镀膜材料：红外窗口镀膜用TlOF粉末

2.半导体前驱体：MOCVD工艺用高纯TlOF靶材

3.光电探测器组件：TlOF基薄膜器件（厚度50-200nm）

4.单晶生长原料：垂直梯度凝固法用TlOF多晶料锭

5.核辐射屏蔽材料：TlOF复合陶瓷坯体

检测方法

1.ASTME915-16：X射线衍射法定量相分析

2.ISO17294-2:2016：电感耦合等离子体质谱法测定金属杂质

3.GB/T23413-2009：纳米材料晶体结构测定通则

4.GB/T33042-2016：热重分析仪校准规范

5.ISO14706:2014：表面化学分析-全反射X射线荧光光谱法

6.ASTME158-17：火花源原子发射光谱法通则

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：θ/θ测角仪系统，Cu靶Kα辐射（λ=1.5406）

2.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：四级杆质量分析器（m/z范围2-290）

3.NetzschSTA449F5同步热分析仪：TG-DSC联用模块（0.1μg分辨率）

4.BrukerD8ADVANCEXRD系统：LynxEye阵列探测器（192通道）

5.Agilent8900ICP-MS/MS：MS/MS反应池技术（干扰消除模式）

6.ShimadzuEDX-7000能量色散谱仪：Si(Li)探测器（133eV分辨率）

7.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台：PIXcel3D探测器系统

8.PerkinElmerNexION350DICP-MS：三锥接口设计（110^9cps线性范围）

9.HitachiSU5000场发射电镜：EDS/EBSD联用系统（0.8nm分辨率）

10.MettlerToledoTGA/DSC3+：超微量天平（0.1μg灵敏度）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"氟氧化铊检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。