1.层错密度测定:测量单位体积内层错面密度(cm⁻),分辨率≤110cm⁻
2.层错尺寸分布:统计层错长度范围(10nm-50μm),精度5%
3.取向偏差角测量:测定滑移面与基体晶面夹角(0.1-15),误差≤0.05
4.位错网络关联性分析:表征层错周边位错密度梯度(10⁴-10⁸cm⁻)
5.应力场分布建模:计算层错周围残余应力场强度(0.1-5GPa)
1.半导体材料:硅单晶、GaN外延片等III-V族化合物半导体
2.金属合金:奥氏体不锈钢、镍基高温合金等FCC结构金属
3.陶瓷材料:氧化锆基陶瓷、碳化硅复合材料
4.高分子复合材料:液晶聚合物薄膜、纤维增强热固性树脂
5.薄膜涂层材料:物理气相沉积硬质涂层、磁控溅射功能薄膜
ASTME112-13:晶粒度测定中间接评估层错概率的统计方法
ISO643:2019:钢的显微组织检验中包含层错特征的定量金相法
GB/T13298-2015:金属显微组织检验中透射电镜层错分析规范
ASTMF3251-17:半导体晶圆缺陷表征的电子通道衬度成像标准
ISO22262-3:2017:材料表面缺陷分析的扫描电子显微镜法
1.JEOLJSM-IT800扫描电子显微镜:配备EBSD探头,空间分辨率1nm
2.FEITalosF200X透射电镜:STEM模式下层错衬度成像能力
3.BrukerD8AdvanceX射线衍射仪:微区应力分析模块精度0.0001
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统:晶体取向偏差测量精度0.01
5.ZeissAxioImagerM2m金相显微镜:微分干涉对比模式观测表面台阶
6.ThermoScientificHeliosG4UX聚焦离子束系统:三维层错重构功能
7.BrukerDimensionIcon原子力显微镜:残余应力场纳米压痕测试模块
8.ShimadzuHMV-G21显微硬度计:纳米压痕法测定局部力学性能变化
9.GatanOriusSC200DCCD相机:弱束暗场成像捕获层错条纹衬度
10.HORIBALabRAMHREvolution拉曼光谱仪:应力敏感峰位移测量精度0.1cm⁻
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"抽出型层错检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。