1.晶面间距测量:精度0.001,覆盖(001)至(222)常见晶面族
2.晶面取向偏差分析:角度分辨率≤0.1,支持三维取向分布函数(ODF)计算
3.晶体对称性验证:识别立方、六方、四方等7大晶系对称特征
4.择优取向度测定:采用Lotgering因子法或极图定量分析
5.缺陷密度关联分析:结合位错密度(106-1012cm-2)与晶面畸变率
1.单晶硅片(111)、(100)、(110)晶向验证
2.多晶金属材料(铝合金、钛合金)织构分析
3.半导体薄膜(GaN、SiC)外延生长质量评估
4.陶瓷材料(Al2O3、ZrO2)相结构鉴定
5.纳米粉末(TiO2、ZnO)晶体发育程度表征
1.X射线衍射法:ASTME112(织构分析)、GB/T23414-2009(微束分析通则)
2.电子背散射衍射:ISO24173:2019(EBSD数据采集规范)
3.选区电子衍射:GB/T18907-2013(透射电镜分析方法)
4.同步辐射白光拓扑术:ISO21466:2019(晶体缺陷表征)
5.拉曼光谱辅助分析:ASTME1840(光谱法晶体取向测定)
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备9kW旋转阳极靶,支持高低温原位测试
2.BrukerD8DiscoverXRD系统:配置VANTEC-500二维探测器,角度重复性0.0001
3.FEIQuanta650FEG扫描电镜:集成OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器
4.JEOLJEM-ARM300F透射电镜:球差校正系统,空间分辨率0.05nm
5.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台:具备PIXcel3D探测器与高温附件
6.ZeissSigma500场发射SEM:搭配BrukereFlashFSEBSD系统
7.ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM:支持三维EBSD重构
8.ShimadzuXRD-7000衍射仪:配备单色器与薄膜附件模块
9.OxfordInstrumentsAztecEBSD系统:支持实时Hough变换与花样标定
10.PANalyticalX'PertProMRD:配置四圆测角仪与平行光路系统
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"晶面指数检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。