衬底偏置检测

检测项目

1.阈值电压漂移：测量范围0.5V至5V，精度1mV

2.漏电流密度：检测限值1nA/cm至10μA/cm

3.界面态密度(Dit)：分辨率1e10cm⁻eV⁻至1e12cm⁻eV⁻

4.击穿电压特性：测试范围50V至1000V@25℃

5.温度系数(TC)：-0.1%/C至+0.05%/C线性度分析

检测范围

1.硅基半导体材料(单晶/多晶硅)

2.碳化硅(SiC)功率器件衬底

3.氮化镓(GaN)外延片

4.CMOS集成电路晶圆

5.MEMS传感器基板

检测方法

1.ASTMF1248-16：漏电流密度测试规范

2.ISO16700:2019：扫描电镜界面缺陷表征

3.GB/T16525-2019：半导体材料击穿电压试验

4.GB/T20274-2021：温度特性循环测试规程

5.ISO18562-3:2022：生物兼容性衬底偏置评估

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持DC-IV/CV特性测试

2.ThermoFisherScientificESCALABXi+X射线光电子能谱仪：界面化学态分析

3.Keithley4200-SCS精密源表系统：纳安级漏电流测量

4.BrukerDektakXT台阶仪：表面粗糙度(0.1nmRMS精度)

5.Agilent4294A精密阻抗分析仪：10MHz-110MHz介电特性测试

6.HitachiSU8200冷场发射扫描电镜：5nm分辨率缺陷观测

7.ThermoFisheriCAPRQICP-MS：金属污染检测(ppt级)

8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：刻蚀速率一致性验证

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"衬底偏置检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。