检测项目
1.阈值电压漂移：测量范围0.5V至5V，精度1mV
2.漏电流密度：检测限值1nA/cm至10μA/cm
3.界面态密度(Dit)：分辨率1e10cm⁻eV⁻至1e12cm⁻eV⁻
4.击穿电压特性：测试范围50V至1000V@25℃
5.温度系数(TC)：-0.1%/C至+0.05%/C线性度分析
检测范围
1.硅基半导体材料(单晶/多晶硅)
2.碳化硅(SiC)功率器件衬底
3.氮化镓(GaN)外延片
4.CMOS集成电路晶圆
5.MEMS传感器基板
检测方法
1.ASTMF1248-16：漏电流密度测试规范
2.ISO16700:2019：扫描电镜界面缺陷表征
3.GB/T16525-2019：半导体材料击穿电压试验
4.GB/T20274-2021：温度特性循环测试规程
5.ISO18562-3:2022：生物兼容性衬底偏置评估
检测设备
1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持DC-IV/CV特性测试
2.ThermoFisherScientificESCALABXi+X射线光电子能谱仪：界面化学态分析
3.Keithley4200-SCS精密源表系统：纳安级漏电流测量
4.BrukerDektakXT台阶仪：表面粗糙度(0.1nmRMS精度)
5.Agilent4294A精密阻抗分析仪：10MHz-110MHz介电特性测试
6.HitachiSU8200冷场发射扫描电镜：5nm分辨率缺陷观测
7.ThermoFisheriCAPRQICP-MS：金属污染检测(ppt级)
8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：刻蚀速率一致性验证