检测项目

1.反向击穿电压（VBR）：测试PN结在反向偏置下的临界击穿电压值（范围：50V-10kV）

2.漏电流（IL）：测量器件在截止状态下的微小电流（精度要求：0.1nA-100μA）

3.结温（Tj）：通过热阻法测定芯片工作温度（测温范围：-65℃~300℃）

4.热阻系数（Rθ）：评估器件散热能力（典型值：0.1-50℃/W）

5.开关时间（ton/toff）：记录MOSFET/IGBT导通与关断延迟（分辨率：1ns）

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)晶圆

2.分立器件：二极管、晶体管、晶闸管

3.集成电路：CMOS逻辑芯片、存储器芯片

4.光电器件：LED芯片、激光二极管

5.功率模块：IGBT模块、SiCMOSFET模块

检测方法

1.ASTMF1249-20：半导体器件热阻测试标准

2.ISO16750-4:2018：汽车电子环境可靠性试验规范

3.GB/T4587-2021：半导体分立器件测试方法

4.IEC60749-25:2021：温度循环加速寿命试验

5.GB/T4937-2018：半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1500A高压大电流测试

2.TektronixDMM6500数字万用表：6位精度电阻/电流测量

3.ThermoScientificMAPS6000热成像系统：空间分辨率3μm@20x

4.ESPECPCT-322温湿度循环箱：温度转换速率15℃/min

5.Agilent4156C精密半导体参数分析仪：最小电流分辨率0.1fA

6.HiokiIM3590化学阻抗分析仪：频率范围10μHz-200MHz

7.BrukerD8DISCOVERX射线衍射仪：晶格结构缺陷分析

8.CascadeSummit12000探针台：支持300mm晶圆级测试

9.FlukeTiX580红外热像仪：640480像素热分布成像

10.Chroma19032电源负载一体机：多通道动态特性测试

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与半导体器件检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。