俄歇电子能谱学检测

检测项目

1.表面元素定性定量分析：能量范围20-2000eV，探测深度≤3nm

2.化学态分析：结合能精度0.1eV，可识别C-KLL（272eV）等特征峰

3.深度剖析：Ar+溅射速率0.1-10nm/min（500eV至5keV离子束）

4.界面特性表征：横向分辨率≤10nm（场发射电子枪）

5.污染层分析：检出限达10¹²atoms/cm²

检测范围

1.半导体材料：Si晶圆GaAs外延层的掺杂浓度分布（精度5%）

2.金属及合金：不锈钢表面钝化膜Cr/Fe比测定（误差<3%）

3.薄膜涂层：DLC涂层sp³/sp²碳键比例分析

4.高分子材料：PET表面氟化处理深度（0-100nm）测量

5.纳米材料：量子点表面配体覆盖率测定（2%精度）

检测方法

ASTME2735-14：俄歇电子能谱深度剖析标准方法

ISO18118:2015：表面化学分析-俄歇能谱定量方法

GB/T26533-2011：俄歇电子能谱分析方法通则

ISO20903:2019：多技术表面分析的数据报告规范

GB/T35033-2018：纳米材料表面成分俄歇能谱测试方法

检测设备

1.PHI700系列：场发射俄歇微探针，空间分辨率6nm@15kV

2.ThermoScientificESCALABXi+：配备MCP阵列探测器，能量分辨率0.35%

3.ULVAC-PHISAM660：四极质谱联用系统，溅射速率控制精度1%

4.JEOLJAMP-9500F：FEG电子源+离子束切割系统，深度剖析层厚<0.5nm/层

5.SPECSFlexAES：多模式电子能量分析器（能量范围1-2500eV）

6.OmicronNanoSAM：超高真空系统（基础真空510^-10mbar）

7.RBDInstrumentsAugerProbe：快速成像系统（256256像素/帧）

8.KratosAXISSupra：单色AlKα源（1486.6eV），荷电补偿精度0.05eV

9.ScientaOmicronDA30-L：双通道CMA分析器（能量分辨率ΔE/E≤0.05%）

10.STAIBInstrumentsAES-50：脉冲离子源溅射系统（束流密度0-50μA/cm）