块状本征锗检测

检测项目

1.电学性能：载流子浓度（110^10~510^12cm^-3）、电阻率（0.1-50Ωcm）、霍尔迁移率（≥3000cm/(Vs)）

2.晶体结构：晶格常数（0.56580.0002nm）、位错密度（≤500cm^-2）、X射线摇摆曲线半高宽（＜30arcsec）

3.杂质分析：总金属杂质含量（≤1ppm）、氧含量（≤510^15atoms/cm）、碳含量（≤110^16atoms/cm）

4.表面特性：表面粗糙度Ra（≤0.5nm）、氧化层厚度（1-5nm）、表面缺陷密度（≤10cm^-2）

5.光学性能：红外透过率（8-14μm波段≥45%）、折射率均匀性（0.001）、吸收系数（＜0.02cm^-1@10.6μm）

检测范围

1.半导体级单晶锗锭（直径100-300mm）

2.红外窗口用抛光锗片（厚度0.5-10mm）

3.探测器级高纯锗晶体（纯度≥99.9999%）

4.光伏用掺镓/掺铟锗衬底

5.辐射探测器用锂漂移锗器件

检测方法

ASTMF43-20《半导体材料电阻率测试规程》

ISO14707:2021《表面化学分析-辉光放电发射光谱法》

GB/T13301-2020《金属材料定量相分析-X射线衍射法》

GB/T35086-2018《硅中替代型碳含量测定低温傅里叶变换红外光谱法》

ISO21363:2020《纳米技术-透射电子显微镜颗粒尺寸测量》

检测设备

1.Keithley2450源表：四探针法电阻率测试（量程1μΩm~1GΩm）

2.RigakuSmartLabX射线衍射仪：晶体取向与缺陷分析（角度精度0.0001）

3.Agilent8800ICP-MS：痕量杂质元素检测（检出限0.1ppt）

4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面形貌表征（分辨率0.1nm）

5.PerkinElmerFrontierFTIR：红外光谱分析（波数范围7800-350cm^-1）

6.ThermoScientificPrismaProQMS：残余气体分析（质量数范围1-300amu）

7.OxfordInstrumentsEBSD系统：晶体取向成像（空间分辨率10nm）

8.VeecoDektakXT轮廓仪：表面粗糙度测量（垂直分辨率0.1）

9.HoribaLabRAMHREvolution：拉曼光谱应力分析（光谱分辨率0.35cm^-1）

10.JEOLJEM-ARM300F球差电镜：原子级缺陷观测（点分辨率0.07nm）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"块状本征锗检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。