检测项目
1.电学性能：载流子浓度（110^10~510^12cm^-3）、电阻率（0.1-50Ωcm）、霍尔迁移率（≥3000cm/(Vs)）
2.晶体结构：晶格常数（0.56580.0002nm）、位错密度（≤500cm^-2）、X射线摇摆曲线半高宽（＜30arcsec）
3.杂质分析：总金属杂质含量（≤1ppm）、氧含量（≤510^15atoms/cm）、碳含量（≤110^16atoms/cm）
4.表面特性：表面粗糙度Ra（≤0.5nm）、氧化层厚度（1-5nm）、表面缺陷密度（≤10cm^-2）
5.光学性能：红外透过率（8-14μm波段≥45%）、折射率均匀性（0.001）、吸收系数（＜0.02cm^-1@10.6μm）
检测范围
1.半导体级单晶锗锭（直径100-300mm）
2.红外窗口用抛光锗片（厚度0.5-10mm）
3.探测器级高纯锗晶体（纯度≥99.9999%）
4.光伏用掺镓/掺铟锗衬底
5.辐射探测器用锂漂移锗器件
检测方法
ASTMF43-20《半导体材料电阻率测试规程》
ISO14707:2021《表面化学分析-辉光放电发射光谱法》
GB/T13301-2020《金属材料定量相分析-X射线衍射法》
GB/T35086-2018《硅中替代型碳含量测定低温傅里叶变换红外光谱法》
ISO21363:2020《纳米技术-透射电子显微镜颗粒尺寸测量》
检测设备
1.Keithley2450源表：四探针法电阻率测试（量程1μΩm~1GΩm）
2.RigakuSmartLabX射线衍射仪：晶体取向与缺陷分析（角度精度0.0001）
3.Agilent8800ICP-MS：痕量杂质元素检测（检出限0.1ppt）
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面形貌表征（分辨率0.1nm）
5.PerkinElmerFrontierFTIR：红外光谱分析（波数范围7800-350cm^-1）
6.ThermoScientificPrismaProQMS：残余气体分析（质量数范围1-300amu）
7.OxfordInstrumentsEBSD系统：晶体取向成像（空间分辨率10nm）
8.VeecoDektakXT轮廓仪：表面粗糙度测量（垂直分辨率0.1）
9.HoribaLabRAMHREvolution：拉曼光谱应力分析（光谱分辨率0.35cm^-1）
10.JEOLJEM-ARM300F球差电镜：原子级缺陷观测（点分辨率0.07nm）