检测项目

1.正向压降（VF）：测试电流1mA-10A范围下的导通电压值

2.反向击穿电压（VBR）：测量反向电流达到1mA时的临界电压

3.漏电流（IR）：在80%VBR条件下测试反向漏电流值（nA级）

4.结电容（Cj）：采用1MHz频率测量零偏压条件下的结电容值

5.热阻（RθJC）：通过功率循环法测试结到壳体的热阻系数

检测范围

1.硅基功率二极管：包括FRD、肖特基二极管等

2.化合物半导体器件：GaNHEMT、SiCMOSFET等宽禁带器件

3.光电耦合器件：光敏晶体管/二极管组合器件

4.晶闸管类器件：GTO、IGCT等大功率开关元件

5.微波射频器件：PIN二极管、变容二极管等高频元件

检测方法

1.电特性测试：依据GB/T4023-2015《半导体分立器件测试方法》

2.热特性分析：采用ASTME1225-20瞬态热测试法

3.可靠性验证：参照IEC60749-25高温反偏试验标准

4.动态参数测试：执行JESD282B.01开关特性测量规范

5.失效分析：依据GB/T4937-2012半导体器件机械环境试验方法

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A高压大电流测试

2.TektronixDPO70000SX示波器：70GHz带宽用于ns级瞬态响应分析

3.ThermoScientificEL冷热冲击箱：-70℃~+200℃温变测试环境

4.FLIRX8580红外热像仪：空间分辨率3μm的热分布成像系统

5.AgilentE4991B阻抗分析仪：1MHz-3GHz频段结电容精确测量

6.Chroma19032功率循环测试机：支持10000次/min的开关寿命测试

7.HiokiIM3590化学阻抗仪：电解液接触条件下的结特性分析

8.CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级参数测试平台

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与发射结检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。