检测项目
1.正向压降（VF）：测试电流1mA-10A范围下的导通电压值
2.反向击穿电压（VBR）：测量反向电流达到1mA时的临界电压
3.漏电流（IR）：在80%VBR条件下测试反向漏电流值（nA级）
4.结电容（Cj）：采用1MHz频率测量零偏压条件下的结电容值
5.热阻（RθJC）：通过功率循环法测试结到壳体的热阻系数
检测范围
1.硅基功率二极管：包括FRD、肖特基二极管等
2.化合物半导体器件：GaNHEMT、SiCMOSFET等宽禁带器件
3.光电耦合器件：光敏晶体管/二极管组合器件
4.晶闸管类器件：GTO、IGCT等大功率开关元件
5.微波射频器件：PIN二极管、变容二极管等高频元件
检测方法
1.电特性测试：依据GB/T4023-2015《半导体分立器件测试方法》
2.热特性分析：采用ASTME1225-20瞬态热测试法
3.可靠性验证：参照IEC60749-25高温反偏试验标准
4.动态参数测试：执行JESD282B.01开关特性测量规范
5.失效分析：依据GB/T4937-2012半导体器件机械环境试验方法
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A高压大电流测试
2.TektronixDPO70000SX示波器：70GHz带宽用于ns级瞬态响应分析
3.ThermoScientificEL冷热冲击箱：-70℃~+200℃温变测试环境
4.FLIRX8580红外热像仪：空间分辨率3μm的热分布成像系统
5.AgilentE4991B阻抗分析仪：1MHz-3GHz频段结电容精确测量
6.Chroma19032功率循环测试机：支持10000次/min的开关寿命测试
7.HiokiIM3590化学阻抗仪：电解液接触条件下的结特性分析
8.CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级参数测试平台