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晶粒延伸检测

  • 原创官网
  • 2025-04-10 16:59:53
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晶粒延伸检测概述:晶粒延伸检测是评估材料力学性能与微观结构演变的关键手段,主要针对金属、陶瓷及复合材料等。核心检测参数包括晶粒尺寸分布、长宽比、取向差及变形均匀性等指标。该检测需结合金相显微镜、扫描电镜(SEM)与电子背散射衍射(EBSD)技术,严格遵循ASTM、ISO及GB/T标准体系。


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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

1.平均晶粒尺寸测量:采用截距法或面积法测定(范围0.5-500μm),依据ASTME112与GB/T6394

2.晶粒长宽比分析:通过椭圆拟合计算轴向比例(精度0.05),适用ISO643:2019

3.晶界取向差分布:EBSD技术测量角度偏差(分辨率≤0.1),符合ISO24173:2009

4.变形均匀性指数:基于应变场分布计算离散系数(阈值≤15%)

5.再结晶比例测定:结合灰度对比法与XRD衍射峰半高宽(误差2%)

检测范围

1.金属材料:铝合金(AA2000/7000系列)、钛合金(Ti-6Al-4V)、高温合金(Inconel718)

2.复合材料:碳纤维增强环氧树脂基体(CFRP)、金属层状复合材料

3.陶瓷材料:氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)结构陶瓷

4.高分子材料:超高分子量聚乙烯(UHMWPE)薄膜

5.半导体材料:单晶硅片(<100>/<111>取向)、砷化镓晶圆

检测方法

1.金相显微镜法:ASTME3样品制备规范与GB/T13298观察规程

2.EBSD定量分析:ISO24173数据采集标准与GB/T38885取向解析方法

3.X射线衍射法:ASTME1426织构测定与GB/T8362残余应力计算

4.扫描电镜观测:ISO16700成像规范与GB/T30019能谱校准

5.数字图像相关法(DIC):ASTME2919应变场测量标准

检测设备

1.蔡司AxioImagerM2m金相显微镜:配备5000万像素摄像头与MultiFocus全景成像模块

2.TESCANMIRA4扫描电镜:搭载牛津仪器SymmetryEBSD探测器(分辨率0.5nm)

3.BrukerD8DiscoverXRD系统:配置VANTEC-500二维探测器(角度精度0.0001)

4.GOMAramisDIC系统:三维应变测量精度达0.01%,采样频率100Hz

5.LeicaEMTXP精密制样系统:离子束减薄精度10nm

6.OxfordInstrumentsAztecCrystalEBSD软件:支持Hough变换与动态背景校正算法

7.StruersLaboPol-6自动磨抛机:压力控制范围0-600N(步进1N)

8.ShimadzuHMV-G21显微硬度计:载荷范围10gf-2kgf(符合ISO6507)

9.JEOLJXA-8530F电子探针:波长色散谱仪分辨率≤5eV

10.ThermoScientificAvizoFire图像处理软件:支持三维晶粒重构与统计分布建模

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与晶粒延伸检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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