1.平均晶粒尺寸测量:采用截距法或面积法测定(范围0.5-500μm),依据ASTME112与GB/T6394
2.晶粒长宽比分析:通过椭圆拟合计算轴向比例(精度0.05),适用ISO643:2019
3.晶界取向差分布:EBSD技术测量角度偏差(分辨率≤0.1),符合ISO24173:2009
4.变形均匀性指数:基于应变场分布计算离散系数(阈值≤15%)
5.再结晶比例测定:结合灰度对比法与XRD衍射峰半高宽(误差2%)
1.金属材料:铝合金(AA2000/7000系列)、钛合金(Ti-6Al-4V)、高温合金(Inconel718)
2.复合材料:碳纤维增强环氧树脂基体(CFRP)、金属层状复合材料
3.陶瓷材料:氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)结构陶瓷
4.高分子材料:超高分子量聚乙烯(UHMWPE)薄膜
5.半导体材料:单晶硅片(<100>/<111>取向)、砷化镓晶圆
1.金相显微镜法:ASTME3样品制备规范与GB/T13298观察规程
2.EBSD定量分析:ISO24173数据采集标准与GB/T38885取向解析方法
3.X射线衍射法:ASTME1426织构测定与GB/T8362残余应力计算
4.扫描电镜观测:ISO16700成像规范与GB/T30019能谱校准
5.数字图像相关法(DIC):ASTME2919应变场测量标准
1.蔡司AxioImagerM2m金相显微镜:配备5000万像素摄像头与MultiFocus全景成像模块
2.TESCANMIRA4扫描电镜:搭载牛津仪器SymmetryEBSD探测器(分辨率0.5nm)
3.BrukerD8DiscoverXRD系统:配置VANTEC-500二维探测器(角度精度0.0001)
4.GOMAramisDIC系统:三维应变测量精度达0.01%,采样频率100Hz
5.LeicaEMTXP精密制样系统:离子束减薄精度10nm
6.OxfordInstrumentsAztecCrystalEBSD软件:支持Hough变换与动态背景校正算法
7.StruersLaboPol-6自动磨抛机:压力控制范围0-600N(步进1N)
8.ShimadzuHMV-G21显微硬度计:载荷范围10gf-2kgf(符合ISO6507)
9.JEOLJXA-8530F电子探针:波长色散谱仪分辨率≤5eV
10.ThermoScientificAvizoFire图像处理软件:支持三维晶粒重构与统计分布建模
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与晶粒延伸检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。