检测项目
1. 元素含量分析：碲（Te）含量≥53.5%、锌（Zn）含量0.8-2.5%、镉（Cd）含量45-47%（质量百分比）
2. 杂质元素控制：铁（Fe）≤5ppm、铜（Cu）≤3ppm、钠（Na）≤2ppm
3. 晶体结构表征：晶格常数（6.481±0.003Å）、位错密度≤5×10^4 cm⁻²
4. 电学性能测试：电阻率≥1×10^10 Ω·cm、载流子迁移率≥1000 cm²/(V·s)
5. 光学特性检测：红外透过率（2-25μm波段≥65%）、吸收系数≤0.1 cm⁻¹
检测范围
1. 红外探测器用碲锌镉单晶材料
2. X/γ射线核辐射探测器基材
3. 半导体外延衬底晶片（直径50-150mm）
4. 空间遥感用焦平面阵列组件
5. 医疗CT探测器模块封装材料
检测方法
1. ASTM E1479-16《半导体材料化学分析标准指南》
2. ISO 18562-3:2017《医疗设备中材料的生物相容性评估》
3. GB/T 13301-2018《晶体缺陷X射线形貌测定方法》
4. GB/T 1551-2016《半导体单晶晶向测定方法》
5. IEC 62220-1-2:2007《医用数字X射线成像装置特性》
6. JIS H7804-2005《X射线荧光光谱法测定金属化合物成分》
检测设备
1. X射线荧光光谱仪（XRF-1800）：元素成分快速定量分析
2. 高分辨X射线衍射仪（Bruker D8 ADVANCE）：晶体结构及应力测试
3. 低温霍尔效应测试系统（Lakeshore 8400系列）：载流子浓度与迁移率测量
4. 傅里叶红外光谱仪（Nicolet iS50）：2-25μm波段透过率测试
5. 原子力显微镜（Bruker Dimension Icon）：表面粗糙度及缺陷观测
6. γ射线能谱仪（ORTEC GEM-C5060S）：电荷收集效率评估
7. 激光诱导击穿光谱仪（LIBS-2000+）：痕量杂质元素分析
8. 深能级瞬态谱仪（DLS-83D）：晶体缺陷能级深度测定