检测项目

1. 表面缺陷检测：扫描分辨率≤0.1μm，缺陷密度≤0.05/cm²（颗粒尺寸≥0.12μm）

2. 薄膜厚度测量：SiO₂膜厚50-200nm（误差±0.5nm），金属层厚度100-500nm（误差±1nm）

3. 电性能测试：方块电阻1-100Ω/□（四探针法），击穿电压≥20MV/cm

4. 几何尺寸分析：直径300mm±0.2mm，翘曲度≤50μm

5. 化学成分检测：金属污染≤1E10 atoms/cm²（ICP-MS法），氧含量14-16ppma（FTIR法）

检测范围

1. 硅基晶圆（单晶/多晶）：应用于逻辑芯片、存储器制造

2. 化合物半导体晶圆：GaAs、GaN等材料用于射频器件

3. SOI（绝缘体上硅）晶圆：顶层硅厚度0.1-5μm

4. 光掩模版：铬层厚度80-100nm，缺陷尺寸≤0.25μm

5. 抛光垫/研磨液残留：颗粒粒径≥0.15μm的污染物分析

检测方法

1. ASTM F1526-2021：非接触式膜厚测量规范

2. ISO 14644-1:2015：洁净室粒子浓度分级标准

3. GB/T 2828-2012：抽样检验程序与质量判定规则

4. SEMI MF723-2020：晶圆翘曲度激光干涉测量法

5. JESD22-A114F：静电放电敏感度测试标准

检测设备

1. KLA-Tencor Surfscan SP3：表面缺陷扫描仪（波长266nm/355nm）

2. Thermo Fisher Scientific Nexsa XPS：X射线光电子能谱仪（探测深度<10nm）

3. Bruker Dimension Icon AFM：原子力显微镜（分辨率0.1nm）

4. Hitachi SU9000 SEM：场发射扫描电镜（放大倍数×30万）

5. Horiba LabRAM HR Evolution：拉曼光谱仪（光谱分辨率0.35cm⁻¹）

6. Agilent 4156C：精密半导体参数分析仪（电流分辨率10fA）

7. Veeco NT9100：白光干涉三维轮廓仪（垂直分辨率0.01nm）

8. Rigaku ATX-G：高分辨率X射线衍射仪（角度精度±0.0001°）

9. Leica DM8000 M：金相显微镜（最大倍率×1500）

10. Keysight E4990A：阻抗分析仪（频率范围20Hz-120MHz）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与晶圆检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。