检测项目

1.粒径分布：D10/D50/D90值测定（10-200nm范围）

2.比表面积：BET法测试（1-500m/g精度）

3.晶体结构：XRD分析（2θ=20-80，Cu-Kα辐射）

4.元素纯度：ICP-OES检测（金属杂质≤0.01%）

5.表面形貌：SEM/TEM观测（分辨率≤1nm）

检测范围

1.半导体用高纯纳米硅粉体

2.锂电池负极材料硅碳复合材料

3.光伏产业用纳米晶硅薄膜

4.生物医用硅基纳米颗粒

5.涂料添加剂用改性纳米硅

检测方法

1.ASTME2490-激光衍射法测粒径分布

2.ISO13320-动态光散射法粒径分析

3.GB/T19587-静态容量法比表面积测定

4.ISO14703-场发射扫描电镜表面分析

5.GB/T17473.6-电感耦合等离子体发射光谱法

检测设备

1.MalvernMastersizer3000：激光粒度分析仪（0.01-3500μm）

2.MicromeriticsASAP2460：全自动比表面及孔隙度分析仪

3.BrukerD8ADVANCE：X射线衍射仪（40kV/40mA）

4.FEINovaNanoSEM450：场发射扫描电镜（1nm分辨率）

5.ThermoiCAPPRO：电感耦合等离子体光谱仪（ppb级检出限）

6.JEOLJEM-2100F：场发射透射电镜（点分辨率0.19nm）

7.NetzschSTA449F5：同步热分析仪（TG-DSC联用）

8.HoribaLabRAMHREvolution：激光拉曼光谱仪（532nm激光源）

9.Agilent8900：三重四极杆ICP-MS（超痕量元素分析）

10.ShimadzuEDX-7000：能量色散X射线荧光光谱仪