检测项目

1. 化学成分分析

主含量（Ga₂O₃纯度）测定

痕量金属杂质检测（Fe、Cu、Ni等）

非金属元素分析（C、S、Cl等）

2. 物理性质表征

晶体结构分析（α/β相鉴定）

粒径分布测试

比表面积测定

热稳定性评估

3. 功能性能测试

介电常数测量

禁带宽度分析

光催化活性评价

检测范围

1. 半导体材料

适用于功率器件用β-Ga₂O₃单晶衬底、外延薄膜等形态检测

2. 功能陶瓷材料

覆盖电子陶瓷、高温结构陶瓷中的氧化镓基复合材料

3. 催化剂原料

包含光催化剂、石油裂解催化剂前驱体等形态检测

4. 涂层材料

针对热障涂层、抗腐蚀涂层的Ga₂O₃复合涂层体系

检测方法

1. 化学分析法

ICP-OES（电感耦合等离子体发射光谱）

XRF（X射线荧光光谱）

离子色谱法（IC）

2. 物理表征法

XRD（X射线衍射）物相分析

BET比表面测定

激光粒度分析

3. 光谱分析法

紫外-可见漫反射光谱（UV-Vis DRS）

拉曼光谱（Raman）

光致发光光谱（PL）

检测仪器

1. 成分分析设备

Thermo Scientific iCAP PRO XPS系列ICP-OES

Rigaku ZSX Primus IV X射线荧光光谱仪

2. 结构分析系统

Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪

Malvern Panalytical Empyrean多晶衍射仪

3. 表面特性仪器

Micromeritics ASAP 2460比表面分析仪

Malvern Mastersizer 3000激光粒度仪

4. 光电测试平台

Agilent Cary 5000紫外可见分光光度计

HORIBA LabRAM HR Evolution显微拉曼系统

　　以上是与三氧化二镓检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。