碳化硅外延片表面缺陷测试

检测项目

1.微管密度检测：测量单位面积内直径＞0.5μm的微管缺陷数量（＜1cm⁻）

2.表面粗糙度分析：Ra值控制在0.2-0.5nm范围（5μm5μm扫描区域）

3.位错密度测定：包括基平面位错（BPD）和贯穿刃型位错（TED），目标值＜510cm⁻

4.层厚均匀性测试：外延层厚度偏差≤3%（100mm晶圆）

5.表面颗粒污染检测：＞0.1μm颗粒数＜10个/cm

检测范围

1.4H-SiC同质外延片（n型/p型掺杂）

2.6H-SiC异质外延结构

3.高阻碳化硅射频器件外延层

4.超厚层（＞50μm）功率器件外延片

5.3D沟槽结构外延生长样品

检测方法

1.ASTMF1375-92(2020)：反射式微分干涉显微术检测表面缺陷

2.ISO14645:2020：微管密度测试的熔融碱腐蚀法

3.GB/T39152-2020：碳化硅单晶缺陷X射线形貌术检测规范

4.SEMIMF1726-1109：非接触式光学表面轮廓测量规程

5.JISH7804:2018：扫描电子显微镜法测定晶体缺陷

检测设备

1.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：0.1nm分辨率表面形貌分析

2.KLASurfscanSP7无图形晶圆缺陷检测仪：0.08μm灵敏度颗粒检测

3.ThermoFisherHeliosG4UX聚焦离子束系统：三维缺陷剖面重构

4.RigakuXRTmicronX射线形貌仪：200mm晶圆全场位错成像

5.ZygoNewView9000白光干涉仪：0.01nm垂直分辨率粗糙度测量

6.HitachiRegulus8230冷场发射SEM：1nm分辨率微观缺陷表征

7.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪：应力分布与晶体质量分析

8.ParkSystemsNX20共聚焦显微镜：亚微米级三维形貌重建

9.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：晶格取向与位错类型鉴别

10.LeicaDM8000M微分干涉显微镜：实时观测生长台阶流形貌

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"碳化硅外延片表面缺陷测试"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。