检测项目

1. 薄膜厚度测量：范围0.1nm-10μm，精度±0.05nm；

2. 载流子浓度分析：覆盖1e14-1e21 cm³量级；

3. 迁移率测试：测量范围100-10000 cm²/(V·s)；

4. 缺陷密度评估：分辨率达<1e3 cm²；

5. 界面粗糙度表征：Ra值精度±0.02nm。

检测范围

1. 硅基半导体层（单晶/多晶/非晶硅）；

2. III-V族化合物半导体（GaAs、InP等）；

3. 宽禁带半导体材料（SiC、GaN）；

4. 有机半导体薄膜（P3HT、PCBM等）；

5. 二维材料异质结（石墨烯/MoS₂堆叠结构）。

检测方法

1. ASTM F1529：椭偏仪测定薄膜厚度与折射率；

2. ISO 14707：二次离子质谱(SIMS)成分深度剖析；

3. GB/T 18904：霍尔效应测试载流子参数；

4. GB/T 29556：原子力显微镜(AFM)表面形貌分析；

5. JIS H 0602：四探针法测量薄层电阻。

检测设备

1. KLA Tencor P-17椭偏仪：实现亚纳米级膜厚测量；

2. Thermo Fisher iCAP RQ ICP-MS：痕量元素定量分析；

3. Bruker Dektak XT-A台阶仪：三维表面轮廓扫描；

4. Keysight B1500A半导体分析仪：I-V/C-V特性测试；

5. Zeiss Merlin SEM：纳米级缺陷成像与能谱分析；

6. Park Systems NX20 AFM：原子级表面粗糙度表征；

7. Lake Shore 8400系列霍尔测试系统：低温强磁场环境测量；

8. Oxford Instruments PlasmaPro 100 CVD：原位生长过程监控；

9. Horiba LabRAM HR Evolution：拉曼光谱晶体质量评估；

10. Agilent 4156C精密参数分析仪：漏电流与击穿电压测试。