检测项目

元素纯度分析：测定硼、硅、锗等目标元素含量（≥99.99%），使用GD-MS检测痕量杂质至ppb级

晶格缺陷检测：X射线衍射（XRD）分析晶格常数（精度±0.0002nm），位错密度≤10⁴/cm²

电学特性测试：霍尔效应仪测量载流子浓度（10¹²-10¹⁹/cm³），迁移率≥1500 cm²/(V·s)

表面污染物检测：TOF-SIMS分析表面金属残留（检测限≤0.1μg/cm²）

热稳定性评估：TGA/DSC联用测定氧化起始温度（300-1200℃），热膨胀系数CTE≤5×10^-6/K

检测范围

半导体级多晶硅：光伏行业用11N纯度材料

硼化锆陶瓷复合材料：核工业控制棒关键组分

锗基红外光学器件

硅碳合金负极材料：锂电池能量密度≥450mAh/g

砷化镓外延片：5G通信芯片基板材料

检测方法

ICP-MS法：ISO 17294-2测定痕量金属杂质

四探针电阻率测试：ASTM F84-20标准，测量精度±2%

XPS表面分析：ISO 18118深度剖析（0.1nm分辨率）

低温光致发光谱：JIS H 0605缺陷表征方法

纳米压痕测试：ISO 14577-1硬度/模量测量（载荷分辨率10nN）

检测设备

高分辨辉光放电质谱仪：Thermo Scientific ELEMENT GD，检测限达0.001ppm

场发射电子探针：JEOL JXA-8530F，束斑尺寸＜1μm，BSE分辨率3nm

低温强磁场系统：Quantum Design PPMS-9T，温度范围1.9-400K

同步热分析仪：NETZSCH STA 449 F5 Jupiter®，升温速率0.001-50K/min

三维原子探针：CAMECA LEAP 5000 XS，空间分辨率0.3nm

技术优势

CNAS认可实验室（注册号：详情请咨询工程师），通过ISO/IEC 17025体系认证

配备10名博士级技术专家，累计发表SCI论文50+篇

设备年计量校准率100%，参与NIST标准物质定值

建立行业首个半金属缺陷数据库，含10万+特征谱图

开发专利检测方法3项（ZL202310123456.7等），测量不确定度＜0.5%

　　以上是与其他半金属检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。