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概述:轻度电离气体指电离度低于10⁻⁴的气体介质,核心检测对象为电子密度(10⁹-10¹²/cm³量级)、离子组分及能量分布。关键项目包括电子温度(0.1-5eV)、空间电位差(±20V)、离子迁移率(1-5cm²/V·s)及中性粒子激发态浓度。需通过双探针法、微波干涉法量化等离子体参数,重点关注边界层鞘层厚度(0.1-10mm)和电子能量分布函数(EEDF)的非麦克斯韦特性,服务于等离子体处理、半导体刻蚀等工业过程监控。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
等离子体基本参数:
1.半导体晶圆:硅片/化合物半导体表面处理等离子体,重点检测离子污染(Na⁺≤5×10¹⁰atoms/cm²)及紫外辐射损伤
2.等离子显示面板:Ne-Xe混合气体放电单元,核心监控激发态Xe浓度(≥5%)及147nm真空紫外发射强度
3.航天器推进剂:氙离子推力器工质,专项检测双电荷离子比例(≤15%)及束流发散角(≤30°)
4.医用灭菌装置:过氧化氢低温等离子体,关键控制OH自由基浓度(≥10¹⁵cm⁻³)及温度(≤45℃)
5.薄膜沉积系统:磁控溅射镀膜腔体,侧重监测金属离化率(≥30%)及基片偏压电流(0.1-10mA/cm²)
6.废气处理反应器:介质阻挡放电除污,检测NOx分解率(≥90%)及臭氧产率(≤150g/kWh)
7.激光增益介质:He-Ne混合气体放电管,精确测量632.8nm谱线多普勒展宽(≤1.5GHz)
8.高功率开关:SF6断路器中电弧等离子体,重点监控F⁻离子浓度及介质恢复强度(≥10kV/μs)
9.空间环境模拟:电离层等离子体模拟舱,检测参数包括E层电子密度(10⁵-10⁶/cm³)及F层梯度变化
10.材料表面改性:聚合物亲水化处理,关键控制活性氧浓度(≥10¹⁴cm⁻³)及处理深度(0.1-10μm)
国际标准:
1.双Langmuir探针系统:HidenESPion-4(电压扫描±200V,电流分辨率10nA)
2.微波干涉仪:PlasmaSensMWI-170G(频率170GHz,相位分辨率0.1°)
3.四极质谱仪:PfeifferQMG700(质量范围1-200amu,检测限1ppm)
4.光学发射光谱仪:AvantesAvaSpec-JianCeS4096(波长范围200-900nm,分辨率0.035nm)
5.汤姆逊散射系统:Nd:YAG激光器(532nm,脉冲能量1J),ICCD相机(门宽2ns)
6.静电能量分析器:HidenEQP-300(能量分辨率0.1eV,角度接收±3°)
7.太赫兹时域光谱仪:MenloTERAK8(频谱0.1-4THz,时间分辨率50fs)
8.高速示波器:TektronixMSO68B(带宽1GHz,采样率25GS/s)
9.微波谐振腔:PlasmaConsultMPC-200(Q值≥10000,频率稳定性±1kHz)
10.法拉第杯阵列:KimballPhysicsFC-300(电流测量1nA-10mA,孔径0.5-5mm)
11.表面电位计:Trek347-3(测量范围±5kV,分辨率0.1V)
12.激光诱导荧光装置:QuantelBrilliantB(脉冲能量300mJ),PMT检测(响应时间2ns)
13.微波反射计:PlasmaMetricsMPR-200(频率2-18GHz,功率动态范围70dB)
14.热耦真空计:MKS925C(量程0.1-1000Pa,精度±0.5%)
15.质量流量控制器:BronkhorstF-203AV(流量范围0-500sccm,精度
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"轻度电离气体检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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