检测项目
1. 反向击穿电压(VBR)：测量PN结雪崩击穿临界值，范围5V-1000V
2. 反向漏电流(IR)：25℃/125℃下测试0.1nA-100μA级漏电
3. 结电容(Cj)：评估高频特性，典型值0.5pF-50pF
4. 热阻(RθJC)：芯片到外壳热传导性能测试
5. 反向恢复时间(trr)：快恢复二极管关键参数0.1ns-1μs
检测范围
1. 硅基整流二极管：1N400x系列等通用器件
2. 锗点接触二极管：1N60P等高频检波器件
3. 肖特基势垒二极管：BAT54系列等低功耗器件
4. 快恢复二极管：FR107等开关电源器件
5. 齐纳稳压二极管：BZX55系列等电压基准器件
检测方法
ASTM F123-18：半导体器件反向特性测试规范
IEC 60747-1：分立器件基本参数测量通则
GB/T 6571-2018：半导体器件反向阻断三极晶体管测试方法
JESD22-A108F：电子器件温度/湿度偏压寿命试验
GB/T 17573-2021：半导体器件分立器件测试方法
检测设备
1. Keysight B1505A功率器件分析仪：击穿电压/漏电流测试
2. Tektronix DMM7510高精度万用表：nA级漏电流测量
3. Agilent 4284A LCR表：结电容/阻抗特性分析
4. Chroma 19032功率循环测试系统：热阻特性评估
5. Thermonics T-2600温控平台：-65℃~+300℃环境模拟
6. Yokogawa DL850E示波记录仪：ns级反向恢复时间捕捉
7. ESPEC SH-642恒温恒湿箱：85℃/85%RH可靠性试验
8. Fluke 6100A电能标准源：基准参数校准系统