检测项目

1. 载流子浓度：测量范围1×10¹⁴~1×10²⁰ cm⁻³，精度±5%

2. 电阻率：测试范围0.001~100 Ω·cm，四探针法测量

3. 霍尔系数：磁场强度0.5T条件下测定迁移率

4. 氧碳含量：二次离子质谱(SIMS)分析O≤1×10¹⁷ atoms/cm³；C≤5×10¹⁶ atoms/cm³

5. 缺陷密度：X射线形貌术检测位错密度≤500/cm²

6. 掺杂均匀性：微区PL谱扫描分辨率10μm

7. 表面污染度：TXRF检测金属杂质≤1×10¹⁰ atoms/cm²

检测范围

1. 半导体级单晶硅棒（直径150/200/300mm）

2. 太阳能电池用P型/N型多晶硅片

3. 集成电路用外延硅衬底

4. MEMS传感器用SOI晶圆

5. 功率器件用高阻区熔硅

6. 红外光学器件用掺锗硅晶体

检测方法

1. ASTM F723-18《标准载流子浓度测试规程》

2. ISO 14707:2015《辉光放电质谱法测定杂质含量》

3. GB/T 1551-2021《硅单晶电阻率测定方法》

4. GB/T 14144-2017《硅晶体中间隙氧含量红外吸收测量方法》

5. SEMI MF1724-1109《四探针薄层电阻测试规范》

6. IEC 60904-1:2020《光伏器件特性测量》

检测设备

1. RTS-9型四探针电阻率测试仪（0.0001-1999Ω·cm）

2. HMS-5000霍尔效应测量系统（磁场强度0~2T）

3. Thermo Scientific iCAP RQ ICP-MS（检出限0.1ppt）

4. Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪（角度精度±0.0001°）

5. CAMECA SIMS 7f二次离子质谱仪（空间分辨率50nm）

6. Agilent 5500原子力显微镜（纵向分辨率0.1nm）

7. Horiba LabRAM HR Evolution显微拉曼光谱仪（激光波长532nm）

8. KEITHLEY 4200A-SCS半导体参数分析仪（电流分辨率10fA）

9. Thermo Fisher Nicolet iN10 MX红外显微镜（波数范围7500-600cm⁻¹）

10. Oxford Instruments EBSD系统（取向分辨率0.5°）