检测项目

1. 离子束剂量均匀性：测量300mm晶圆表面剂量偏差≤±2%，采用九点采样法进行全区域扫描

2. 能量稳定性测试：加速电压波动范围≤±0.5%，能量分辨率优于0.1eV@50keV

3. 束流密度分布：束斑直径误差<±5%，密度梯度变化≤3%/cm

4. 注入角度偏差：倾斜注入时角度误差<0.5°，旋转台定位精度±0.01°

5. 污染控制检测：金属污染浓度<1E10 atoms/cm²，颗粒物数量<5个/平方厘米（≥0.1μm）

检测范围

1. 半导体材料：12英寸硅晶圆、GaAs衬底、SiC外延片等集成电路基材

2. 光伏材料：PERC电池用N型单晶硅、HJT异质结薄膜材料

3. 光学镀膜材料：Ta₂O₅/SiO₂多层膜系、DLC类金刚石涂层

4. 金属表面处理：钛合金医疗植入物表面改性层、航空铝合金耐磨层

5. 特种陶瓷材料：Al₂O₃绝缘陶瓷、ZrO₂结构陶瓷的离子增强处理层

检测方法

1. ASTM F42-20《半导体离子注入剂量测量标准》：四探针法测量薄层电阻RS变化量

2. ISO 14707:2015《辉光放电光谱法测定表面元素浓度》：深度分辨率达5nm/层

3. GB/T 26179-2010《离子注入机通用规范》：规定束流稳定性应≤±1%/8小时

4. GB/T 16594-2008《微米级长度扫描电镜测量方法》：测量注入区横向扩散宽度

5. SEMI E10-0321《半导体设备真空系统验收标准》：氦质谱检漏率≤1E-9 Pa·m³/s

检测设备

1. Thermo Scientific iCAP RQ ICP-MS：检出限达ppt级，用于金属污染定量分析

2. Veeco Dektak XT台阶仪：垂直分辨率0.1Å，测量注入层厚度变化

3. Oxford Instruments X-MaxN SDD能谱仪：实现B/P/As等轻元素浓度分布测定

4. PHI 5000 VersaProbe III XPS：化学态分析深度分辨率3nm，束斑尺寸10μm

5. SEMICS SSA-7100角度解析仪：角度测量精度±0.02°，支持三维空间定位校准

6. KLA-Tencor P-7表面轮廓仪：扫描速度200mm/s，检测注入引起的晶格损伤

7. Agilent 4156C精密参数分析仪：测量漏电流变化（灵敏度1fA）

8. Hitachi SU8200冷场发射电镜：0.8nm分辨率观察注入区微观结构变化

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与离子注入机检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。