检测项目

1. 输出电压精度：测量基准值与标称值的偏差范围（±0.05% @25℃）

2. 温度系数(TC)：-55℃~125℃温区内输出电压变化率（≤3ppm/℃）

3. 长期稳定性：1000小时老化试验后的输出电压漂移（≤50μV）

4. 噪声电压：0.1Hz-10Hz频段内积分噪声（≤5μVpp）

5. 电源抑制比(PSRR)：电源波动±10%时的输出变化量（≥80dB@DC-1kHz）

检测范围

1. 硅基CMOS/BiCMOS工艺带隙基准电路

2. SOI工艺高精度电压参考源

3. GaAs/GaN宽禁带半导体基准器件

4. MEMS集成式温度补偿基准模块

5. 抗辐射加固型航天级基准芯片

检测方法

ASTM F1241-2018：半导体器件热阻测试标准

IEC 60747-8：分立器件基准源测试规范

JEDEC JESD78F：集成电路寿命加速试验方法

GB/T 4377-2018：半导体分立器件测试程序

GB/T 17573-2021：半导体器件通用试验方法

检测设备

Keysight B1500A半导体参数分析仪：IV特性/噪声谱测量

Keithley 2636B源表模块：高精度电流/电压输出

Temptronic ThermoStream T-3400C：-70℃~+225℃温控系统

Agilent 34401A六位半数字万用表：μV级电压测量

Rohde&Schwarz FSWP26相位噪声分析仪：超低频噪声测试

Chroma 19032电源模拟器：动态负载调节测试

NI PXIe-4143多功能I/O模块：实时数据采集系统

Tektronix DPO7254C示波器：瞬态响应波形分析

ESPEC SH-642恒温恒湿箱：85℃/85%RH环境试验

Cascade Summit 12000探针台：晶圆级参数测试