检测项目

1. 反向击穿电压（VBR）：测量范围100V-10kV@25℃±2℃，精度±0.5%

2. 正向导通电流（IF）：测试条件0.1A-50A@VF≤3V，温升误差≤±1℃

3. 结电容（Cj）：频率1MHz下测量0.1pF-100pF，分辨率0.01pF

4. 热阻（Rth）：采用瞬态双界面法测量0.1-10℃/W@稳态功耗5W

5. 反向恢复时间（trr）：脉冲宽度10μs-100ms下测试1ns-100ns@di/dt=100A/μs

检测范围

1. 微波通信用硅基崩越二极管

2. 雷达系统GaAs崩越二极管

3. 高频电源模块SiC崩越二极管

4. 医疗电子设备低噪声崩越二极管

5. 汽车电子系统高温型崩越二极管

检测方法

ASTM D5334-14《半导体器件热特性测试标准》

IEC 60747-1:2022《分立器件通用规范》

GB/T 6571-2016《半导体器件反向击穿电压测试方法》

GB/T 17573-1998《半导体器件结电容测量规范》

ISO 16750-4:2010《汽车电子环境试验标准》

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：IV特性曲线扫描与VBR测量

Tektronix MSO64示波器：trr动态响应波形捕获@6GHz带宽

Agilent 4294A精密阻抗分析仪：Cj高频参数测试@40Hz-110MHz

FLIR A655sc红外热像仪：Rth非接触式温度场分布监测@±1℃精度

Chroma 19032可编程负载仪：IF高温老化测试@150℃持续72h

ESPEC TPH-202三综合试验箱：温度循环(-65℃~+175℃)冲击试验

Keithley 2450源测量单元：nA级漏电流精确测量@1000V偏压

HIOKI PW3390功率分析仪：动态功耗测试@0.1%基本精度

Thermo Scientific MAXQ 6000恒温箱：长期可靠性试验@湿度85%RH

Rohde & Schwarz FPC1500频谱分析仪：高频噪声特性分析@3GHz频宽

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与崩越二极管检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。