检测项目

电场强度分布检测：测量0.1 V/m至100 kV/m范围的场强梯度，精度±0.5%

载流子迁移率分析：基于霍尔效应测定10^-6-10³ cm²/(V·s)迁移率范围

介电弛豫时间测定：采用时域反射法(TDR)检测10 ns-100 ms弛豫过程

空间电荷积聚量检测

温度依赖性测试：在-196℃至300℃温区内监控电场参数漂移

检测范围

半导体材料：硅基器件、GaN、SiC等宽禁带半导体晶圆

高压绝缘材料：交联聚乙烯(XLPE)、环氧树脂复合材料

储能介质：聚合物薄膜电容器、多层陶瓷电容器(MLCC)

光电材料：钙钛矿薄膜、有机光伏器件

柔性电子器件：可拉伸导体、印刷电子电路

检测方法

ASTM D149：介电击穿强度测试，采用阶梯升压法(Step-by-Step Method)

IEC 60270：局部放电检测，配置50pC分辨率检测系统

ISO 16750-1：车载电子环境可靠性试验，含温度-电场耦合测试

JIS C2138：空间电荷分布测量，使用0.1mm分辨率探头阵列

ASTM D150：介电常数与损耗因子测试，频率范围20Hz-1MHz

检测设备

Keysight B1505A：功率器件分析仪，支持2000V/1000A脉冲测试

Trek 347-3HS：高压放大器，输出范围±20kV DC/±10kV AC

HIOKI IM3590：化学阻抗分析仪，频率精度±0.05%

ESPEC PL-3KPH：三温区热冲击试验箱，温变速率15℃/min

PolyK PEA-S2：空间电荷分析系统，时间分辨率1μs

技术优势

CNAS认可实验室（注册号：详情请咨询工程师），符合ISO/IEC 17025体系要求

配备NIST可溯源标准样品，年校准周期确保设备误差＜0.3%

拥有10名IEEE高级会员组成的专家团队，累计发表SCI论文52篇

自主开发电场-温度-机械应力多场耦合测试平台

通过IECQ-CECC认证，具备军工级产品检测资质

　　以上是与漂移电场检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。