缺陷晶格检测

检测项目

1. 晶格畸变率：测量原子间距偏差值（单位：Å），精度±0.01Å

2. 位错密度：统计单位面积位错线数量（单位：cm⁻²），分辨率≥10⁶/cm²

3. 空位浓度：定量分析空位占比（范围：0.001%-5%），误差≤0.005%

4. 晶界角度偏差：测定相邻晶粒取向差（范围：0.1°-30°），重复性±0.05°

5. 相变临界点：记录相结构转变温度（范围：-196℃-1600℃），控温精度±1℃

检测范围

1. 半导体材料：单晶硅片、GaN外延层、碳化硅衬底

2. 金属合金：高温合金涡轮叶片、钛铝基复合材料

3. 陶瓷材料：氧化锆结构陶瓷、氮化硅功能陶瓷

4. 薄膜涂层：PVD/CVD沉积薄膜、热障涂层系统

5. 纳米材料：量子点阵列、二维过渡金属硫化物

检测方法

1. ASTM E112-13《测定平均晶粒度的标准试验方法》

2. ISO 24173:2009《电子背散射衍射(EBSD)分析方法》

3. GB/T 13305-2008《金属的显微组织检验方法》

4. ASTM F1811-97(2021)《透射电镜位错密度测试规程》

5. GB/T 19500-2004《X射线光电子能谱分析方法通则》

检测设备

1. 场发射透射电镜FEI Titan Themis 300：原子级分辨率（0.07nm），配备Gatan K3相机

2. X射线衍射仪Rigaku SmartLab SE：角度重复性±0.0001°，配备高温附件（1600℃）

3. 电子背散射衍射系统Oxford Symmetry S3：空间分辨率3nm，最大扫描速度4000点/秒

4. 聚焦离子束显微镜Thermo Scientific Helios G4 UX：束流稳定性±0.1%，定位精度1nm

5. 激光共聚焦显微镜Keyence VK-X3000：垂直分辨率0.5nm，三维重构功能

6. 原子探针层析仪CAMECA LEAP 5000XR：质量分辨率m/Δm≥2000，探测效率≥80%

7. 拉曼光谱仪Horiba LabRAM HR Evolution：光谱分辨率0.35cm⁻¹，空间分辨率200nm

8. 同步辐射光源线站BL14B1（上海光源）：能量范围5-20keV，光斑尺寸10μm×10μm

9. 高温原位拉伸台Deben UK5000：最大载荷5kN，温度范围-150℃-1600℃

10. 纳米压痕仪Agilent G200：位移分辨率0.01nm，最大载荷500mN

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"缺陷晶格检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。