重搀杂多晶硅检测

检测项目

1.电阻率测定（范围：0.001-100Ωcm）
2.载流子浓度分析（110⁶-110cm⁻）
3.掺杂均匀性测试（横向/纵向偏差≤5%）
4.晶粒尺寸测量（50-500nm精度）
5.氧碳含量检测（O≤110⁸atoms/cm；C≤510⁷atoms/cm）
6.表面粗糙度评估（Ra≤0.5μm）
7.晶体缺陷密度（≤110⁴cm⁻）

检测范围

1.太阳能电池用磷/硼掺杂多晶硅锭
2.半导体级砷掺杂多晶硅薄膜
3.多晶硅沉积层（厚度50-300μm）
4.多晶硅再生料（碎片尺寸≤5mm）
5.多晶硅涂层材料（覆盖率≥99%）
6.高温退火处理多晶硅片

检测方法

1.ASTMF723：四探针法电阻率测试
2.ISO14707：GD-MS法测定杂质元素含量
3.GB/T1551：半导体材料导电类型判定规范
4.ASTME112：电子背散射衍射（EBSD）晶粒分析
5.GB/T26008：硅材料载流子寿命测试规程
6.ISO14644-1：洁净室环境颗粒污染度控制
7.SEMIMF1724：非接触式微波光电导衰减法

检测设备

1.RTS-9型四探针电阻率测试仪（测量精度0.5%）
2.HMS-3000霍尔效应测试系统（磁场强度0-1T）
3.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪（CuKα辐射源）
4.FEINovaNanoSEM450场发射电镜（分辨率0.8nm）
5.Agilent5500原子力显微镜（扫描范围100100μm）
6.ThermoScientificiCAPRQICP-MS（检出限≤ppt级）
7.KeysightB1500A半导体参数分析仪（电压分辨率1μV）
8.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪（光谱分辨率0.35cm⁻）
9.TencorP-16+表面轮廓仪（垂直分辨率0.1nm）
10.AccuPycII1340氦气比重计（密度测量精度0.03%）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"重搀杂多晶硅检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。