检测项目

1.晶片直径测量：公差范围0.01mm（Φ3mm-Φ50mm）

2.厚度均匀性检测：分辨率0.1μm（厚度0.2-10mm）

3.平面度误差分析：允许偏差≤λ/4（λ=632.8nm）

4.边缘垂直度评估：角度偏差≤0.05

5.表面粗糙度测试：Ra值0.02-0.8μm（取样长度0.08mm）

检测范围

1.压电陶瓷类：PZT-4/PZT-5系列超声探头晶片

2.单晶硅材料：直径≤200mm的半导体晶圆

3.石英晶体器件：AT切型/SC切型谐振片

4.复合材料基板：碳纤维增强陶瓷基探头

5.MEMS器件：微机电系统压电薄膜传感器

检测方法

1.ASTME2934-13：非接触式激光干涉法测量平面度

2.ISO1101:2017：几何公差(GD&T)评价规范

3.GB/T1800.2-2020：极限与配合公差体系

4.ISO4287:1997：表面粗糙度参数定义与测量

5.GB/T11337-2004：平板平面度误差测量方法

检测设备

1.OlympusOLS5000激光共聚焦显微镜：三维形貌重建（分辨率1nm）

2.KeyenceVHX-7000数字显微镜：自动边缘识别（放大倍率6000x）

3.MitutoyoLSM-902S投影仪：直径测量精度0.5μm

4.ZygoNewView9000白光干涉仪：平面度测量（重复性0.1nm）

5.TaylorHobsonFormTalysurfi120：粗糙度轮廓仪（Ra测量范围0.01-100μm）

6.HexagonGlobalAdvantageCMM：三坐标测量机（空间精度1.9+L/250μm）

7.PanasonicUA3P三维轮廓仪：非接触式厚度测量（Z轴分辨率0.1nm）

8.RenishawXL-80激光干涉仪：动态几何误差补偿系统