检测项目

1.晶格常数测定：精度0.001（XRD法），覆盖立方/六方/正交晶系

2.晶格畸变度分析：局部应变分辨率≤0.01%，全域畸变率≤0.1%

3.残余应力分布：测量范围5GPa，空间分辨率50nm（EBSD联用）

4.相结构鉴定：最小可识别相含量0.5wt%（Rietveld精修）

5.织构取向分析：极图采集角度范围0-360，步长0.5

检测范围

1.半导体材料：SiC单晶衬底、GaN外延层等第三代半导体材料

2.金属合金：镍基高温合金的γ/γ'相界面应变分析

3.陶瓷材料：氧化锆相变增韧陶瓷的四方相含量测定

4.功能薄膜：压电薄膜(PZT)的择优取向度评价

5.纳米材料：量子点超晶格的周期性排列验证

检测方法

ASTME975-20X射线衍射残余应力测定标准方法

ISO24173:2019电子背散射衍射(EBSD)晶体取向分析通则

GB/T23414-2009微束分析扫描电镜电子背散射衍射分析方法

ASTME2627-19中子衍射残余应力测量标准规程

GB/T36075.1-2018纳米技术纳米尺度薄膜厚度测量X射线反射法

检测设备

RigakuSmartLabX射线衍射仪：配备高分辨HyPix-3000探测器，支持同步辐射模式

FEIScios2DualBeam聚焦离子束-SEM系统：集成EDAXVelocityEBSD探测器

BrukerD8DiscoverXRD系统：配置VANTEC-500二维探测器，支持微区衍射分析

MalvernPanalyticalEmpyreanX射线平台：配备PIXcel3D探测器及应力分析模块

TESCANMIRA4SEM-EBSD联用系统：空间分辨率达1.2nm@15kV

ProtoLXRD便携式X射线应力仪：适用于现场残余应力测量（量程800MPa）

BrukerDektakXT轮廓仪：台阶高度