检测项目

1.载流子浓度：测量n型/p型半导体中少数载流子密度（单位：cm⁻），误差范围≤5%

2.迁移率测试：通过霍尔效应测定空穴/电子迁移率（单位：cm/(Vs)），分辨率达0.1cm/(Vs)

3.少子寿命分析：采用微波光电导衰减法（μ-PCD）测量寿命值（范围：0.1μs-10ms）

4.扩散系数测定：基于瞬态光谱法获取扩散长度（精度2μm）

5.表面复合速率：通过准稳态光电导法（QSSPC）计算表面复合速度（单位：cm/s）

检测范围

1.单晶硅/多晶硅光伏材料（厚度100-300μm）

2.III-V族化合物半导体（GaAs、InP等）

3.功率器件IGBT芯片（电压等级600-6500V）

4.有机半导体薄膜（厚度50-500nm）

5.碳化硅外延片（4H-SiC,6H-SiC晶型）

检测方法

1.ASTMF723：标准载流子浓度测试规程（适用硅基材料）

2.ISO/IEC60749-28：半导体器件光电导衰减法寿命测量

3.GB/T1551-2021：硅单晶电阻率及迁移率测试方法

4.JISH0605：化合物半导体霍尔效应测试规范

5.GB/T35008-2018：碳化硅外延层厚度及载流子浓度测试

检测设备

1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持DC-IV/CV特性曲线测量（精度0.1fA）

2.SemilabWT-2000少子寿命测试仪：μ-PCD法测量范围0.05μs-10ms

3.AccentHL5500PC霍尔效应系统：磁场强度0.55T，温度范围77-500K

4.HamamatsuC12132光电导衰减模块：波长904nm激光脉冲宽度50ns

5.ThermoScientificNicoletiS50傅里叶红外光谱仪：检测表面污染对复合速率影响

6.AgilentB1505A功率器件分析仪：支持6500V高压IGBT测试

7.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面形貌与复合中心关联分析

8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100深能级瞬态谱仪（DLTS）：缺陷态密度检测精度110⁰cm⁻

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与平衡少子检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。