检测项目

1.晶体取向偏差：采用X射线衍射法测定<111>轴向偏差值（0.5）
2.直径公差：激光测径仪测量线径波动范围（0.5μm）
3.拉伸强度：高温拉伸试验机测试断裂强度（≥4200MPa）
4.表面粗糙度：白光干涉仪评估Ra值（≤0.1μm）
5.晶界缺陷：场发射扫描电镜观测晶界连续性（无可见二次相）

检测范围

1.半导体芯片键合用超细钨丝（Φ10-50μm）
2.高温真空炉加热体组件
3.电子显微镜电子枪灯丝
4.医疗直线加速器靶材支架
5.航天器离子推进器栅极材料

检测方法

1.ASTME112-13晶粒度测定法
2.ISO6892-1:2019金属材料室温拉伸试验
3.GB/T4340.1-2009金属维氏硬度试验
4.ASTMF76-08(2016)半导体材料几何参数测量
5.GB/T13298-2015金属显微组织检验方法

检测设备

1.JEOLJSM-7900F场发射扫描电镜（表面形貌分析）
2.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪（晶体结构表征）
3.Zwick/RoellZ100高温拉伸试验机（力学性能测试）
4.KeyenceVK-X3000激光共聚焦显微镜（三维形貌重建）
5.MitutoyoLSM-9000激光测径系统（微米级尺寸测量）
6.Agilent5500原子力显微镜（纳米级表面粗糙度检测）
7.NetzschSTA449F3同步热分析仪（高温稳定性评估）
8.OxfordInstrumentsEBSD系统（晶体取向标定）
9.ShimadzuEPMA-8050G电子探针（元素分布分析）
10.ThermoFisheriCAPRQICP-MS（痕量杂质检测）