检测项目

1.硅元素含量测定：X射线荧光光谱法（XRF）定量分析30-50%浓度区间

2.晶格结构完整性：X射线衍射（XRD）测定晶面间距偏差≤0.02nm

3.表面粗糙度测试：白光干涉仪测量Ra值0.1-1.6μm范围

4.热膨胀系数验证：热机械分析仪（TMA）测定20-800℃区间CTE≤4.510⁻⁶/℃

5.电导率梯度分布：四探针电阻仪测量纵向偏差≤15%

检测范围

1.光伏级多晶硅带材：厚度0.2-1.5mm规格产品

2.半导体封装用硅合金带：含铝/铜掺杂型复合带材

3.高温炉用耐热硅带：工作温度≥1200℃特种材料

4.电磁屏蔽硅基复合材料：镍包覆层厚度50-200μm制品

5.柔性电子用超薄硅膜：厚度10-100μm柔性基底材料

检测方法

ASTME1621-13硅基材料XRF定量分析规程

ISO14703:2020微束分析样品制备通则

GB/T17359-2023微束分析能谱定量通则

ASTMD7238-20热膨胀系数激光干涉法

GB/T26074-2017半导体材料电阻率测试规范

检测设备

ThermoScientificARLQUANT'XX射线荧光光谱仪：多元素同步定量分析

BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：晶体结构全谱解析

ZygoNewView9000白光干涉仪：三维形貌纳米级测量

NETZSCHDIL402C热膨胀仪：-150℃~1600℃热变形监测

Keithley2450源表系统：四线法电阻率精密测试

HitachiSU5000场发射电镜：5nm分辨率微观形貌观测

PerkinElmerSTA8000同步热分析仪：TG-DSC同步联用技术

Agilent7900ICP-MS：ppb级痕量元素分析系统

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与富硅带检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。