检测项目

1.载流子浓度：测量范围1E10-1E18cm⁻，精度5%
2.缺陷态密度：分辨率≥1E10cm⁻eV⁻
3.激活能测定：温度范围80-500K，误差0.01eV
4.俘获截面分析：跨导法测量精度10%
5.复合中心表征：时间常数0.1μs-10s

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)
2.光伏材料：晶体硅电池、钙钛矿薄膜
3.绝缘材料：氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)
4.宽禁带半导体：氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)
5.功能陶瓷：压电陶瓷、热释电材料

检测方法

1.DLTS法：依据ASTMF42-20与GB/T29848-2013标准
2.热激电流谱(TSC)：执行ISO14707:2015规程
3.光电容法(OCP)：参照IEC62969-2:2018规范
4.瞬态光电导衰减(TPCD)：采用GB/T35032-2018标准
5.光致发光谱(PL)：符合JISC8936:2019技术要求

检测设备

1.深能级瞬态谱仪DLTS-8000：温度扫描精度0.1K
2.Bio-RadPN4300C半导体分析系统：支持C-V/L-V多模式测量
3.AgilentB1500A参数分析仪：最小电流分辨率1fA
4.JanisCCS-400低温恒温器：温控范围4-600K
5.HoribaLabRAMHREvolution光谱仪：光谱分辨率0.35cm⁻
6.Keithley4200A-SCS测试平台：集成脉冲IV/CV模块
7.LakeShoreCRX-4K探针台：四轴精密定位系统
8.OxfordInstrumentsOptistatDN低温系统：闭环氦循环制冷
9.ThermoScientificNicoletiS50FTIR光谱仪：中红外波段检测
10.KeysightB2902A精密源表：电压分辨率1μV

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与浅能级检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。