检测项目

1.载流子浓度：测量范围1E10-1E18cm⁻，精度5%
2.缺陷态密度：分辨率≥1E10cm⁻eV⁻
3.激活能测定：温度范围80-500K，误差0.01eV
4.俘获截面分析：跨导法测量精度10%
5.复合中心表征：时间常数0.1μs-10s

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)
2.光伏材料：晶体硅电池、钙钛矿薄膜
3.绝缘材料：氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)
4.宽禁带半导体：氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)
5.功能陶瓷：压电陶瓷、热释电材料

检测方法

1.DLTS法：依据ASTMF42-20与GB/T29848-2013标准
2.热激电流谱(TSC)：执行ISO14707:2015规程
3.光电容法(OCP)：参照IEC62969-2:2018规范
4.瞬态光电导衰减(TPCD)：采用GB/T35032-2018标准
5.光致发光谱(PL)：符合JISC8936:2019技术要求

检测设备

1.深能级瞬态谱仪DLTS-8000：温度扫描精度0.1K
2.Bio-RadPN4300C半导体分析系统：支持C-V/L-V多模式测量
3.AgilentB1500A参数分析仪：最小电流分辨率1fA
4.JanisCCS-400低温恒温器：温控范围4-600K
5.HoribaLabRAMHREvolution光谱仪：光谱分辨率0.35cm⁻
6.Keithley4200A-SCS测试平台：集成脉冲IV/CV模块
7.LakeShoreCRX-4K探针台：四轴精密定位系统
8.OxfordInstrumentsOptistatDN低温系统：闭环氦循环制冷
9.ThermoScientificNicoletiS50FTIR光谱仪：中红外波段检测
10.KeysightB2902A精密源表：电压分辨率1μV