检测项目
正向压降（VF）：测量额定电流下导通电压值（如1.2V@IF=10A）
反向击穿电压（VRRM）：验证最大反向耐受电压（如1200V5%）
反向漏电流（IR）：测试高温条件下漏电流值（如≤10μA@125℃）
结温耐受性（Tj）：评估最大工作结温（如175℃持续1000小时）
开关特性：包含反向恢复时间（trr≤50ns）及正向恢复电压
热阻（Rth）：测量结到外壳热阻值（如0.8℃/W）
检测范围
硅基功率二极管：包括普通整流二极管与快恢复二极管
碳化硅（SiC）肖特基二极管：耐压范围650V-1700V
砷化镓（GaAs）高频二极管：适用于微波射频领域
IGBT配套续流二极管：适配1200A/6.5kV等级模块
汽车级AEC-Q101认证二极管：满足车规温度循环要求
检测方法
IEC60747-9:2019《分立半导体器件-第9部分：绝缘栅双极晶体管及其二极管的测试方法》
GB/T4023-2015《半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管》
JEDECJESD22-A108E:2015《高温工作寿命试验》
MIL-STD-750F:2012《半导体器件试验方法》第3105章反向耐压测试
ISO16750-4:2010《道路车辆电气电子设备环境条件》温度冲击试验
检测设备
KeysightB1505A功率器件分析仪：支持200A/3kV脉冲测试
TektronixDPO7054C示波器：带宽5GHz的开关特性分析
Chroma19032耐压测试仪：10kV/100mA击穿电压测试
ThermoScientificT3Ster动态热阻测试系统：μs级瞬态热特性测量
ESPECPL-3KPH温度循环箱：-70℃至+180℃快速温变试验
Agilent4294A阻抗分析仪：10MHz频率下结电容测量
HiokiIM3593化学阻抗仪：封装材料导热系数测定
OlympusMX63L金相显微镜：30,000倍率下芯片焊接层缺陷检测