功率二极管检测概述:检测项目正向压降(VF):测量额定电流下导通电压值(如1.2V@IF=10A)反向击穿电压(VRRM):验证最大反向耐受电压(如1200V5%)反向漏电流(IR):测试高温条件下漏电流值(如≤10μA@125℃)结温耐受性(Tj):评估最大工作结温(如175℃持续1000小时)开关特性:包含反向恢复时间(trr≤50ns)及正向恢复电压热阻(Rth):测量结到外壳热阻值(如0.8℃/W)检测范围硅基功率二极管:包括普通整流二极管与快恢复二极管碳化硅(SiC)肖特基二极管:耐压范围650V-1700V砷化镓
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
正向压降(VF):测量额定电流下导通电压值(如1.2V@IF=10A)
反向击穿电压(VRRM):验证最大反向耐受电压(如1200V5%)
反向漏电流(IR):测试高温条件下漏电流值(如≤10μA@125℃)
结温耐受性(Tj):评估最大工作结温(如175℃持续1000小时)
开关特性:包含反向恢复时间(trr≤50ns)及正向恢复电压
热阻(Rth):测量结到外壳热阻值(如0.8℃/W)
硅基功率二极管:包括普通整流二极管与快恢复二极管
碳化硅(SiC)肖特基二极管:耐压范围650V-1700V
砷化镓(GaAs)高频二极管:适用于微波射频领域
IGBT配套续流二极管:适配1200A/6.5kV等级模块
汽车级AEC-Q101认证二极管:满足车规温度循环要求
IEC60747-9:2019《分立半导体器件-第9部分:绝缘栅双极晶体管及其二极管的测试方法》
GB/T4023-2015《半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管》
JEDECJESD22-A108E:2015《高温工作寿命试验》
MIL-STD-750F:2012《半导体器件试验方法》第3105章反向耐压测试
ISO16750-4:2010《道路车辆电气电子设备环境条件》温度冲击试验
KeysightB1505A功率器件分析仪:支持200A/3kV脉冲测试
TektronixDPO7054C示波器:带宽5GHz的开关特性分析
Chroma19032耐压测试仪:10kV/100mA击穿电压测试
ThermoScientificT3Ster动态热阻测试系统:μs级瞬态热特性测量
ESPECPL-3KPH温度循环箱:-70℃至+180℃快速温变试验
Agilent4294A阻抗分析仪:10MHz频率下结电容测量
HiokiIM3593化学阻抗仪:封装材料导热系数测定
OlympusMX63L金相显微镜:30,000倍率下芯片焊接层缺陷检测
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与功率二极管检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。