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区域熔炼提纯检测

  • 原创官网
  • 2025-02-21 15:39:13
  • 关键字:区域熔炼提纯测试范围,区域熔炼提纯测试方法,区域熔炼提纯测试标准
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区域熔炼提纯检测概述:区域熔炼提纯检测是针对高纯度材料的关键质量控制环节,通过精确分析材料成分、晶格缺陷及杂质分布,确保其满足半导体、核工业等领域严苛要求。核心检测指标包括杂质浓度梯度、熔区迁移稳定性及晶粒取向一致性,需结合光谱分析、显微表征及热力学模拟等多维度验证手段。


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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

杂质浓度梯度分析:纵向分辨率≤0.1ppm,横向扫描步长5μm

晶粒尺寸分布检测:测量范围10nm-200μm,ASTM E112标准晶粒度评级

熔区温度场监测:±0.5℃动态测温精度,采样频率100Hz

电学性能验证:载流子浓度(10^10-10^18 cm^-3),迁移率误差±3%

氧含量测定:检测下限0.01ppma,符合ISO 17025:2017规范

检测范围

高纯金属材料:6N级铝、铜、钨等真空电子材料

半导体晶体:硅单晶(直径300mm)、砷化镓晶圆

核级锆合金:Zr-2/4系列包壳管材

超导材料:Nb3Sn线材、YBCO薄膜

稀土金属:钕铁硼永磁体前驱体

检测方法

辉光放电质谱法(GDMS):依据ASTM E1251-17a,实现ppb级杂质分析

电子背散射衍射(EBSD):基于ISO 24173:2020进行晶体取向成像

四探针电阻率测试:执行SEMI MF84-0708标准,温度补偿范围-196~300℃

同步辐射X射线形貌术:空间分辨率达50nm,符合ISO/TS 21383:2021

二次离子质谱(SIMS):深度分辨率3nm/decade,检测B/P/As等轻元素

检测设备

辉光放电质谱仪GDMS Profiler 2:配备射频源(13.56MHz)和四级杆质量分析器

FEI Helios G4 UX聚焦离子束系统:5nm分辨率EBSD探头,集成EDX能谱模块

Keithley 4200A-SCS参数分析仪:支持10fA-1A宽范围电流测量

Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪:配备Hi-Star二维探测器,CuKα辐射源

Cameca IMS 7f-Auto SIMS:质量分辨率M/ΔM>10,000,配备Cs+/O-双离子枪

技术优势

持有CNAS 详情请咨询工程师5实验室认可证书,检测数据国际互认

配备ISO/IEC 17025:2017认证的恒温恒湿实验室(23±0.1℃,湿度45±2%)

具备熔炼过程原位检测能力,集成LabVIEW实时监控系统

研发团队含3名材料学博士,累计发表SCI论文20篇相关领域

获CMA 2018-1234资质认定,覆盖GB/T 14264-2018等12项国家标准

  以上是与区域熔炼提纯检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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