检测项目

1.外延层厚度：测量范围0.1-100μm，精度0.5nm。

2.厚度均匀性：横向/纵向偏差≤2%，扫描间距≤1mm。

3.界面粗糙度：Ra值≤0.3nm（原子力显微镜测量）。

4.晶体取向偏差：角度分辨率≤0.01（X射线衍射法）。

5.应力分布：应力梯度≤10MPa/μm（拉曼光谱分析）。

检测范围

1.半导体材料：硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）外延片。

2.光电子器件：LED外延层、激光二极管量子阱结构。

3.化合物半导体：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）异质结。

4.超晶格材料：AlGaN/GaN、SiGe/Si多层堆叠结构。

5.纳米材料：二维材料（石墨烯、MoS₂）外延生长层。

检测方法

1.ASTMF1391：X射线衍射法测定外延层厚度与晶体质量。

2.ISO14707：辉光放电光谱法分析元素深度分布。

3.GB/T32281：扫描电子显微镜（SEM）界面形貌表征。

4.ISO21222：原子力显微镜（AFM）表面粗糙度测试。

5.GB/T35099：拉曼光谱法测量应力与晶格畸变。

检测设备

1.PANalyticalX'Pert3MRD：高分辨率X射线衍射仪，支持ω-2θ扫描。

2.BrukerDimensionIconAFM：原子力显微镜，分辨率0.1nm。

3.ThermoFisherScios2DualBeam：聚焦离子束-扫描电镜联用系统。

4.HoribaLabRAMHREvolution：共焦拉曼光谱仪，空间分辨率350nm。

5.KLATencorP-7：表面轮廓仪，台阶高度测量精度0.1。

6.ZeissLSM900：激光共聚焦显微镜，三维形貌重构功能。

7.OxfordInstrumentsPlasmaPro100：辉光放电发射光谱仪。

8.NanometricsAtlas-M：膜厚测量系统，支持300mm晶圆全自动扫描。