单晶状态检测概述:检测项目1.晶体结构完整性检测:晶格常数偏差≤0.002,位错密度≤10^4/cm2.表面缺陷分析:微裂纹检出限0.1μm,划痕深度分辨率5nm3.晶体取向测定:欧拉角测量精度0.05,极图完整度≥98%4.杂质含量检测:痕量元素检出限0.1ppm,掺杂均匀性偏差≤3%5.热稳定性测试:热膨胀系数测量范围(25-1200℃),温度波动1℃检测范围1.半导体单晶硅片(直径300mm以下)2.高温合金单晶叶片(镍基/钴基)3.光学级蓝宝石衬底(C面/A面)4.压电晶体材料(LiNbO₃、LiTaO₃)5.超导
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.晶体结构完整性检测:晶格常数偏差≤0.002,位错密度≤10^4/cm
2.表面缺陷分析:微裂纹检出限0.1μm,划痕深度分辨率5nm
3.晶体取向测定:欧拉角测量精度0.05,极图完整度≥98%
4.杂质含量检测:痕量元素检出限0.1ppm,掺杂均匀性偏差≤3%
5.热稳定性测试:热膨胀系数测量范围(25-1200℃),温度波动1℃
1.半导体单晶硅片(直径300mm以下)
2.高温合金单晶叶片(镍基/钴基)
3.光学级蓝宝石衬底(C面/A面)
4.压电晶体材料(LiNbO₃、LiTaO₃)
5.超导单晶材料(YBCO、Bi-2212)
ASTME112-13晶粒度测定方法
ISO2625:2020X射线衍射晶体取向分析
GB/T13301-2019金属材料位错密度测定
GB/T3488.2-2018蓝宝石单晶缺陷检验规范
ISO14707:2015辉光放电质谱表面分析
RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备旋转阳极靶(9kW),最小步进角0.0001
蔡司Sigma500场发射扫描电镜:分辨率0.8nm@15kV,配备EBSD探头
BrukerDimensionIcon原子力显微镜:Z轴分辨率0.05nm,扫描范围90μm
ThermoFisheriCAPRQICP-MS:质量范围2-290amu,检出限0.1ppt
NetzschDIL402C热膨胀仪:温度范围-160℃~2000℃,膨胀量分辨率0.125nm
OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统:采集速度3000点/秒,角度分辨率0.5
BrukerD8Discover高分辨XRD:平行光路系统,摇摆曲线半高宽<10arcsec
LeicaDM2700M偏光显微镜:透反射双模式,最大放大倍数1000
ShimadzuEPMA-8050G电子探针:波长分辨率5eV@MnKα线束
AgilentCary7000全能型分光光度计:光谱范围175-3300nm,带宽0.05nm
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与单晶状态检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。