位向差检测概述:检测项目1.晶界角度偏差测量:测定相邻晶粒间取向偏差角(0.1-62.8范围)2.晶粒取向分布统计:分析多晶材料中<111>/<100>等择优取向比例3.相间取向差分析:测量多相材料中不同物相间晶体学关系(如α/β相界面)4.织构强度计算:定量表征板织构({hkl})强度等级(0-10级)5.亚晶界位错密度评估:通过KAM图计算局部取向梯度(0.5-5/μm)检测范围1.金属结构材料:钛合金TC4、铝合金6061等锻轧件2.半导体单晶材料:单晶硅(111)/(100)晶圆片3.陶瓷
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.晶界角度偏差测量:测定相邻晶粒间取向偏差角(0.1-62.8范围)
2.晶粒取向分布统计:分析多晶材料中<111>/<100>等择优取向比例
3.相间取向差分析:测量多相材料中不同物相间晶体学关系(如α/β相界面)
4.织构强度计算:定量表征板织构({hkl}
5.亚晶界位错密度评估:通过KAM图计算局部取向梯度(0.5-5/μm)
1.金属结构材料:钛合金TC4、铝合金6061等锻轧件
2.半导体单晶材料:单晶硅(111)/(100)晶圆片
3.陶瓷基复合材料:Al₂O₃/ZrO₂共烧体界面结构
4.高温合金部件:镍基单晶涡轮叶片[001]取向偏离度
5.磁性功能材料:Fe-Si电工钢二次再结晶织构
1.ASTME2627-19电子背散射衍射(EBSD)晶体取向测定标准
2.ISO24173:2019微束衍射取向成像技术规范
3.GB/T13298-2015金属显微组织检验方法
4.GB/T33812-2017金属材料电子背散射衍射分析方法
5.ISO16700:2016扫描电镜电子通道对比度成像规程
1.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器:配备CMOS高速探头(分辨率≤0.05)
2.BrukerD8DISCOVERX射线衍射仪:配置Hi-Star二维面探测器
3.TESCANMIRA4SEM:集成场发射电子枪(分辨率1nm@15kV)
4.EDAVA-TSLOIMAnalysisv8.0:三维取向分布函数计算软件
5.RigakuSmartLab9kW旋转靶XRD:配备交叉光路光学系统
6.ZeissMerlinCompactVP-SEM:配置四象限背散射探测器
7.JEOLJSM-7900F场发射电镜:搭配高速EBSD采集系统(300点/秒)
8.PanalyticalX'Pert3MRDXL高分辨衍射仪:配置PIXcel3D探测器
9.HitachiRegulus8230冷场SEM:集成低真空EBSD适配系统
10.ShimadzuXRD-7000多功能衍射仪:配备单轴欧拉台样品架
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与位向差检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。