检测项目

1.晶体结构分析：测定晶面间距(d值)范围0.1-3nm，晶格常数精度0.001

2.相组成鉴定：识别物相种类≥5种混合体系，含量检测限0.5vol%

3.晶粒取向测定：取向偏差角分辨率≤0.5，织构系数计算误差2%

4.缺陷表征：位错密度检测范围10⁶-10/cm，层错能测量精度5mJ/m

5.应力应变分析：残余应力测量范围2000MPa，应变分辨率110⁻⁴

检测范围

1.半导体材料：硅基芯片外延层厚度50-500nm的晶体缺陷分析

2.金属合金：高温合金γ'相尺寸分布(10-500nm)及取向关系测定

3.纳米材料：量子点粒径分布(2-20nm)及晶型结构鉴定

4.高分子聚合物：结晶度(10-90%)及球晶尺寸(100nm-10μm)表征

5.陶瓷材料：多相复合陶瓷中第二相含量(1-30wt%)及界面结构分析

检测方法

ASTME112-13晶粒尺寸测定标准中选区衍射法

ISO25498:2018微束分析-电子背散射衍射通则

GB/T15247-2015微束分析术语及晶体学取向测定规范

GB/T36065-2018纳米材料多晶X射线电子衍射测试方法

ASTME2627-13残余应力测定电子背散射衍射标准方法

检测设备

FEITecnaiG2F20：场发射透射电镜，点分辨率0.24nm，配备双倾样品台

JEOLJEM-2100F：200kV场发射电镜，STEM模式分辨率0.19nm

HitachiHF5000：冷场发射电镜，低剂量模式电子束流0.1nA-1μA可调

RigakuD/MAXRapidII：微区衍射仪，最小光斑尺寸50μm

BrukerD8Discover：三维X射线衍射仪，角度重复性0.0001

TESCANMIRA3：FEG-SEM联用EBSD系统，采集速度≥3000点/秒

OxfordInstrumentsAZtecHKL：全自动EBSD数据采集系统

GatanOriusSC200D：CCD相机系统，动态范围16bit@40082672像素

EDAXHikariPro：能谱-EBSD一体化探测器

ProtoiXRD-Combo：残余应力测试系统，Ψ角范围45可调