检测项目

1.时序参数测试：包含tRCD（行地址到列地址延迟）、tRP（行预充电时间）、tRAS（行激活时间），精度要求10ps

2.信号完整性分析：测量眼图张开度≥0.7UI，抖动容限＜10psRMS@10Gbps

3.功耗特性评估：待机电流≤5mA@1.8V，突发写入功耗≤300mW@DDR4-3200

4.温度特性测试：工作温度范围-40℃~125℃，数据保持能力验证

5.耐久性验证：NAND闪存擦写次数≥10^5cycles，数据保留期＞10年@85℃

检测范围

1.DRAM系列：包括DDR4/DDR5/LPDDR5X存储器模组及颗粒

2.NAND闪存：涵盖3DTLC/QLC颗粒及UFS3.1/eMMC5.1嵌入式存储

3.SRAM产品：高速QDR-IV+器件及低功耗CypressMoBL系列

4.新型存储器：相变存储器(PCM)、磁阻存储器(MRAM)工程样品

5.嵌入式存储器：SoC内置Cache及OTP/MTP存储单元

检测方法

1.JEDECJESD209-5B规范LPDDR5电气验证方法

2.ASTMF2592-18高速数字信号完整性测试标准

3.ISO/IEC28360:2015存储器件耐久性评估规程

4.GB/T26248-2021半导体存储器通用测试方法

5.GB/T34434-2017嵌入式闪存测试技术规范

检测设备

1.KeysightDSAX96204Q示波器：110GHz带宽，支持DDR5-6400协议解码

2.TektronixBERTScopeBSX400误码率测试仪：40GbpsNRZ/PAM4信号分析

3.AdvantestT5503HS存储测试系统：支持3DNAND多plane并行测试

4.Chroma33612P电源分析仪：μA级电流测量精度，动态响应＜1μs

5.ESPECTSE-12-A热冲击试验箱：-70℃~+180℃温变速率15℃/min

6.FormFactorCM300xi探针台：支持12英寸晶圆级参数测试

7.NIPXIe-4139源测量单元：18位分辨率数字I-V曲线追踪

8.XcerraSLT-888系统级测试机：并行测试256通道@800MHz

9.ThermoScientificHeliosG4PFIB：纳米级存储单元结构分析

10.AgilentB1500A半导体分析仪：100fA级漏电流测量能力

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与高速存储器检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。