欢迎访问北检(北京)检测技术研究院!全国服务热线:400-635-0567

低温显影检测

  • 原创官网
  • 2025-05-15 17:30:56
  • 关键字:低温显影测试机构,低温显影测试方法,低温显影测试范围
  • 相关:

低温显影检测概述:检测项目1.显影温度范围:-40℃至10℃区间内梯度测试2.显影时间控制:0.5-15分钟动态监测3.溶液浓度偏差:0.05%精度验证4.表面粗糙度:Ra≤0.02μm的纳米级测量5.残留膜厚:10-200nm范围的台阶仪分析6.临界尺寸偏差:3nm电子束量测检测范围1.光刻胶涂层材料(正胶/负胶/化学放大胶)2.半导体晶圆(硅片/砷化镓/碳化硅基材)3.光学薄膜(抗反射膜/硬质涂层)4.MEMS器件结构层(SU-8/PMMA)5.柔性电子基材(PI/PET薄膜)6.微流控芯片光刻层检测方法ASTME25


便捷导航:首页 > 服务项目 > 其他检测

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

1.显影温度范围:-40℃至10℃区间内梯度测试

2.显影时间控制:0.5-15分钟动态监测

3.溶液浓度偏差:0.05%精度验证

4.表面粗糙度:Ra≤0.02μm的纳米级测量

5.残留膜厚:10-200nm范围的台阶仪分析

6.临界尺寸偏差:3nm电子束量测

检测范围

1.光刻胶涂层材料(正胶/负胶/化学放大胶)

2.半导体晶圆(硅片/砷化镓/碳化硅基材)

3.光学薄膜(抗反射膜/硬质涂层)

4.MEMS器件结构层(SU-8/PMMA)

5.柔性电子基材(PI/PET薄膜)

6.微流控芯片光刻层

检测方法

ASTME259-2018:低温显影工艺标准化测试规程

ISO14644-7:2019:洁净环境下的显影过程控制

GB/T23648-2009:光致抗蚀剂显影特性测定方法

SEMIP35-1108:半导体级显影液性能测试标准

JISK5600-5-7:涂层显影完整性评估规范

检测设备

1.ThermoScientificHCP108低温恒温箱(-70℃~50℃,0.1℃)

2.KLATencorP-7台阶仪(0.1分辨率)

3.HitachiSU9000场发射电镜(0.4nm分辨率)

4.BrukerContourGT-X3光学轮廓仪(<1nm垂直分辨率)

5.Agilent8900ICP-MS(ppq级金属杂质分析)

6.MalvernZetasizerNanoZSP(动态光散射分析)

7.ShimadzuUV-3600iPlus分光光度计(5nm带宽)

8.LeicaDM2700M偏光显微镜(5000:1对比度)

9.MettlerToledoXPR205自动微量天平(0.1μg精度)

10.ESICDS8000在线浓度监测系统(0.001g/cm)

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与低温显影检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

服务项目