透射电镜术检测概述:检测项目1.晶体结构分析:晶格分辨率≤0.1nm,选区电子衍射(SAED)角度精度0.012.元素分布表征:能量色散X射线谱(EDS)探测限≤0.1wt%,面扫描分辨率5nm3.缺陷形态观测:位错密度检测范围10-10⁰cm⁻,层错能测量误差5%4.界面结构解析:界面粗糙度测量精度0.2nm,晶界偏析层厚度分辨率1nm5.纳米颗粒分析:粒径分布统计范围1-200nm,形状因子计算误差≤3%检测范围1.金属材料:铝合金时效析出相、高温合金γ'相分布、钛合金α/β相界面结构2.半导体器件:硅基外延层缺陷、I
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1.晶体结构分析:晶格分辨率≤0.1nm,选区电子衍射(SAED)角度精度0.01
2.元素分布表征:能量色散X射线谱(EDS)探测限≤0.1wt%,面扫描分辨率5nm
3.缺陷形态观测:位错密度检测范围10-10⁰cm⁻,层错能测量误差5%
4.界面结构解析:界面粗糙度测量精度0.2nm,晶界偏析层厚度分辨率1nm
5.纳米颗粒分析:粒径分布统计范围1-200nm,形状因子计算误差≤3%
1.金属材料:铝合金时效析出相、高温合金γ'相分布、钛合金α/β相界面结构
2.半导体器件:硅基外延层缺陷、III-V族化合物界面失配位错、量子点尺寸分布
3.纳米材料:碳纳米管手性指数测定、金属纳米颗粒晶面指数标定、二维材料层间堆垛分析
4.生物样品:病毒衣壳蛋白组装结构、细胞器超微形态观察、生物矿化晶体取向分析
5.高分子材料:嵌段共聚物微相分离结构、聚合物结晶片层厚度测量、纳米复合材料界面结合状态
ASTME2090-19:透射电镜系统校准规范(含放大倍率校准与衍射标定)
ISO25498:2018:微区电子衍射分析方法(含菊池线标定程序)
GB/T28871-2012:电子显微镜X射线能谱分析方法通则
GB/T35033-2018:纳米材料透射电子显微镜表征方法指南
ISO21363:2020:纳米颗粒尺寸分布的TEM测定方法
JEOLJEM-ARM300F:冷场发射枪,球差校正系统,信息分辨率0.08nm
ThermoFisherTalosF200X:SuperXEDS系统,STEM分辨率0.16nm
HitachiHT7800:120kV高对比度模式,配备双倾旋转样品台
FEITitanG260-300:单色器配置单原子分辨率成像能力
ZeissLibra200MC:能量过滤系统(EFTEM),零损失峰能量分辨率0.7eV
JEOLJEM-2100Plus:LaB6灯丝系统,配备高速CCD相机(4k4k像素)
TecnaiG2F20S-TWIN:场发射枪STEM模式分辨率0.19nm
HitachiHF5000:冷场发射枪+四极杆-八极杆物镜系统
NionUltraSTEM200:第五代球差校正器,可实现亚埃级分辨率
FEITecnaiSpirit:生物专用低剂量成像系统(剂量控制≤5e⁻/)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与透射电镜术检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。