


概述:检测项目1.位错密度测定:测量范围10^4-10^12cm^-2,误差≤5%2.位错分布形态分析:包括直线型/网络状分布占比统计3.伯格斯矢量测定:精度达0.01nm4.应力场分布表征:空间分辨率≤50nm5.位错运动激活能测试:温度范围-196℃~1200℃检测范围1.金属合金:铝合金(AA2024/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)、镍基高温合金(Inconel718)2.半导体材料:单晶硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)3.陶瓷材料:氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人委托除外)。
因篇幅原因,CMA/CNAS/ISO证书以及未列出的项目/样品,请咨询在线工程师。
1.位错密度测定:测量范围10^4-10^12cm^-2,误差≤5%
2.位错分布形态分析:包括直线型/网络状分布占比统计
3.伯格斯矢量测定:精度达0.01nm
4.应力场分布表征:空间分辨率≤50nm
5.位错运动激活能测试:温度范围-196℃~1200℃
1.金属合金:铝合金(AA2024/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)、镍基高温合金(Inconel718)
2.半导体材料:单晶硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)
3.陶瓷材料:氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)
4.薄膜材料:物理气相沉积(PVD)硬质涂层(TiN/AlCrN)
5.纳米结构材料:纳米晶铜/镍、金属基复合材料(MMC)
1.透射电子显微镜法:ASTME3-2011/GB/T20307-2006
2.X射线衍射法:ISO24173:2009/GB/T23414-2009
3.电子背散射衍射:ASTME2627-2013/GB/T38885-2020
4.同步辐射拓扑成像法:ISO/TS21383:2021
5.原子力显微镜压痕法:GB/T31227-2014
1.FEITecnaiG2F20TEM:配备GatanOriusSC200相机,可实现0.19nm点分辨率
2.JEOLJSM-7900FSEM:搭载OxfordSymmetryEBSD探测器,空间分辨率达1.4nm
3.BrukerD8ADVANCEXRD:配备VANTEC-500探测器,角度重复性0.0001
4.HysitronTIPremier纳米压痕仪:载荷分辨率50nN,位移分辨率0.02nm
5.ParkNX20AFM:非接触模式分辨率0.1nm,扫描范围100μm100μm
6.ZeissCrossbeam550FIB-SEM:配备Omniprobemanipulator的3D断层成像系统
7.ShimadzuEBSD-3000系统:最大采集速度3000点/秒的快速EBSD分析模块
8.ThermoFisherScios2DualBeam:具备STEM检测器的双束电镜系统
9.OxfordInstrumentsAZtecHKLAdvancedEBSD:支持实时位错密度计算软件包
10.BrukerDimensionIconAFM:PeakForceTapping模式实现纳米级应力场测绘
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"刃型位错检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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