检测项目
1.位错密度测定：测量范围10^4-10^12cm^-2，误差≤5%
2.位错分布形态分析：包括直线型/网络状分布占比统计
3.伯格斯矢量测定：精度达0.01nm
4.应力场分布表征：空间分辨率≤50nm
5.位错运动激活能测试：温度范围-196℃~1200℃
检测范围
1.金属合金：铝合金(AA2024/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)、镍基高温合金(Inconel718)
2.半导体材料：单晶硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)
3.陶瓷材料：氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)
4.薄膜材料：物理气相沉积(PVD)硬质涂层(TiN/AlCrN)
5.纳米结构材料：纳米晶铜/镍、金属基复合材料(MMC)
检测方法
1.透射电子显微镜法：ASTME3-2011/GB/T20307-2006
2.X射线衍射法：ISO24173:2009/GB/T23414-2009
3.电子背散射衍射：ASTME2627-2013/GB/T38885-2020
4.同步辐射拓扑成像法：ISO/TS21383:2021
5.原子力显微镜压痕法：GB/T31227-2014
检测设备
1.FEITecnaiG2F20TEM：配备GatanOriusSC200相机，可实现0.19nm点分辨率
2.JEOLJSM-7900FSEM：搭载OxfordSymmetryEBSD探测器，空间分辨率达1.4nm
3.BrukerD8ADVANCEXRD：配备VANTEC-500探测器，角度重复性0.0001
4.HysitronTIPremier纳米压痕仪：载荷分辨率50nN，位移分辨率0.02nm
5.ParkNX20AFM：非接触模式分辨率0.1nm，扫描范围100μm100μm
6.ZeissCrossbeam550FIB-SEM：配备Omniprobemanipulator的3D断层成像系统
7.ShimadzuEBSD-3000系统：最大采集速度3000点/秒的快速EBSD分析模块
8.ThermoFisherScios2DualBeam：具备STEM检测器的双束电镜系统
9.OxfordInstrumentsAZtecHKLAdvancedEBSD：支持实时位错密度计算软件包
10.BrukerDimensionIconAFM：PeakForceTapping模式实现纳米级应力场测绘