检测项目

1.逸出功测定：测量材料表面电子脱离所需最小能量（0.1-5.0eV），精度0.02eV
2.二次电子产额（SEY）：测试入射电子能量（0.1-30keV）与二次电子发射系数（δ=0.1-10）的对应关系
3.背散射电子产额：分析10-50keV入射能量下的背散射系数（η=0.05-0.5）
4.能谱分布：测量发射电子能量展宽（FWHM0.3-3.0eV）
5.温度依赖性：评估50-1200K温区内逸出功变化率（ΔΦ≤0.15eV）

检测范围

1.半导体材料：硅晶圆（掺杂浓度1e14-1e20cm⁻）、GaN外延片
2.光电阴极：银氧铯（Ag-O-Cs）薄膜（厚度50-200nm）
3.场发射阵列：碳纳米管束（直径5-50nm）、氧化锌纳米线
4.真空器件电极：无氧铜（OFC-C1020）、钼钨合金（MoW70/30）
5.光伏组件：钙钛矿薄膜（MAPbI3）、CIGS吸收层

检测方法

1.ISO21348:2018《表面分析-电子能谱法测定逸出功》
2.ASTME673-22《场致发射特性标准测试方法》
3.GB/T28872-2021《微分析仪器能谱分析方法通则》
4.IEC60300-3-5:2021《真空电子器件可靠性试验规程》
5.JISH8686:2019《金属材料二次电子发射系数测定法》

检测设备

1.UHV-FEE系统（SPECSPHOIBOS150）：配备半球形能量分析器（分辨率＜0.1eV）
2.Kelvin探针势能仪（KPTechnologySKP5050）：非接触式功函数测量（重复性5meV）
3.TOF-SIMSV型飞行时间质谱仪（IONTOFGmbH）：表面元素与逸出特性同步分析
4.FEIVerios460L场发射扫描电镜：配备Everhart-Thornley探测器（SE分辨率1nm）
5.OmicronMultiprobeUHV系统：集成LEED/AES/XPS多模式分析模块
6.Agilent4156C精密半导体参数分析仪：皮安级电流测量能力（最小分辨率10fA）
7.Keithley2636B双通道源表：支持10nV电压分辨率和0.1fA电流灵敏度
8.RBD9100静电计/高阻计：输入阻抗＞110⁶Ω（测量范围10⁻⁶-10⁻A）
9.PHI5000VersaProbeIIIXPS系统：单色AlKα光源（1486.6eV），空间分辨率7μm
10.JanisST-500低温恒温器：温控范围4K-475K（稳定性0.01K）