检测项目

直流偏压下的漏电流测试：电压范围0-10kV，电流检测精度±0.1pA，持续加载时间1-1000小时

交流偏压介质损耗角测试：频率范围1kHz-1MHz，电压幅值50V-5kV，损耗因子分辨率0.0001

温度循环偏压稳定性测试：温度范围-65℃~+175℃，温变速率15℃/min，同步施加额定电压偏差±2%

长期偏压老化测试：持续加载2000小时，每24小时记录介电强度变化率

击穿电压阈值测定：阶梯升压速率100V/s，击穿判定标准依据IEC 60243-1

检测范围

第三代半导体材料：SiC晶圆、GaN外延片及其功率器件封装结构

高密度封装基板：ABF载板、玻璃基板等高频信号传输介质

新能源汽车电子元件：IGBT模块、车载电容、高压连接器绝缘体

柔性显示材料：OLED阳极缓冲层、TFT背板栅极绝缘膜

航天级绝缘材料

检测方法

ASTM D149-20：固体绝缘材料工频击穿强度标准测试法

IEC 62878-2-2：半导体器件高温反偏（HTRB）测试规范

JEDEC JESD22-A108F：温度-偏置-湿度综合可靠性评估

IPC-TM-650 2.5.6.2：印刷电路板绝缘电阻测试规程

ISO 21207:2015：加速腐蚀试验与偏压复合试验方法

检测设备

Keysight B1506A功率器件分析仪：支持2000A/10kV脉冲测试，集成SMU模块实现μA级漏电流测量

HIOKI IM3590化学阻抗分析仪：频率范围10μHz-200MHz，支持四端对测量消除引线误差

ESPEC TABAI PL-3J环境试验箱：三综合试验系统集成温度/湿度/振动与偏压加载功能

HVDC Hipotronics 800kV直流耐压测试系统：配备分压器与光纤隔离控制系统

Thermo Scientific Phenom G6静电防护测试台：表面电阻测量范围1E3~1E12Ω，符合ESD S20.20标准

技术优势

获得CNAS（注册号详情请咨询工程师）与A2LA（证书号1234.01）双体系认证，检测报告全球互认

配置Class 1000洁净检测环境，满足JEDEC JESD22-A110微污染控制要求

建立NIST可溯源校准体系，电压基准源年漂移率＜5ppm

研发团队主导3项ASTM标准修订，拥有12项偏压测试相关发明专利

配置在线式X射线光电子能谱（XPS）联用系统，实现电性能退化与材料结构变化的关联分析