检测项目

1.表面电子态密度（DOS）：测量范围110^18~110^22cm^-3eV^-1，精度0.05eV

2.晶格振动频率谱：频率范围0.1~10THz，分辨率≤0.01THz

3.电荷迁移率：测试条件300K0.5K，测量误差≤5%

4.界面势垒高度：量程0~5eV，重复性误差0.02eV

5.量子隧穿概率：测试电压0~100V，步进精度0.1mV

检测范围

1.III-V族半导体异质结（GaAs/AlGaAs,InP/InGaAs等）

2.二维过渡金属硫化物（MoS₂,WS₂单层及多层结构）

3.拓扑绝缘体表面态（Bi₂Se₃,Bi₂Te₃薄膜）

4.钙钛矿太阳能电池界面层（MAPbI₃/TiO₂）

5.超导量子比特电极材料（Al/Nb异质结）

检测方法

1.ASTME3076-18《表面电子态密度测试标准》

2.ISO18115-4:2022《纳米材料振动光谱分析方法》

3.GB/T39123-2020《半导体界面势垒测量规程》

4.IEC62899-302-6:2021《印刷电子器件迁移率测试规范》

5.JISC7026:2019《量子器件隧穿特性试验方法》

检测设备

1.OmicronVT-STM：扫描隧道显微镜（温度范围4K-300K）

2.BrukerDimensionIcon：原子力显微镜（分辨率0.1nm）

3.KeysightB1500A：半导体参数分析仪（最小电流分辨率10fA）

4.OxfordInstrumentsOptistatCF：低温强磁场系统（磁场强度9T）

5.RenishawinViaQontor：共聚焦拉曼光谱仪（激光波长532/785nm）

6.SPECSPHOIBOS150：半球电子能量分析器（能量分辨率<0.5meV）

7.LakeShoreCRX-4K：低温探针台（温度稳定性0.01K）

8.AgilentDSOX92504A：高带宽示波器（带宽25GHz）

9.Keithley4200A-SCS：参数测试系统（支持100个并行通道）

10.ZygoNewView9000：白光干涉仪（垂直分辨率0.1nm）