检测项目

1.载流子浓度：测量范围110~110⁰cm⁻，精度3%

2.霍尔迁移率：测试范围10~10⁵cm/(Vs)，温度条件77K~300K

3.活化能分析：能量分辨率≤0.01eV

4.电阻率：量程110⁻⁴~110⁶Ωcm

5.缺陷态密度：灵敏度≥110⁰cm⁻eV⁻

6.热稳定性：温控范围-196℃~600℃，升降温速率0.1~50℃/min

检测范围

1.半导体材料：硅（Si）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）单晶/薄膜

2.光伏材料：钙钛矿薄膜、CIGS薄膜组件

3.导电高分子材料：PEDOT:PSS、聚苯胺薄膜

4.热电材料：Bi₂Te₃基合金、方钴矿化合物

5.储能器件：锂离子电池正极材料（NCM、LFP）

6.显示器件：OLED有机发光层薄膜

检测方法

1.霍尔效应测试：ASTMF76-08(2020)、GB/T1551-2009

2.四探针电阻率测量：ASTMF84-20、ISO3917:2016

3.深能级瞬态谱（DLTS）：IEC60749-32:2020

4.光致发光光谱（PL）：GB/T35031-2018

5.电化学阻抗谱（EIS）：GB/T13343-2008

6.热激电流法（TSC）：ISO18516:2019

检测设备

1.四探针电阻测试仪（LorestaGPMCP-T700）：测量表面/体积电阻率

2.霍尔效应测试系统（LakeShore8404）：支持变温磁场环境测试

3.半导体参数分析仪（KeysightB1500A）：IV/CV特性曲线分析

4.深能级瞬态谱仪（PhysTechHERA-DLTS）：缺陷态密度定量分析

5.光致发光光谱仪（EdinburghFLS1000）：带液氮冷却样品台

6.热分析系统（NetzschSTA449F5）：同步热重-差示扫描量热联用

7.电化学工作站（Bio-LogicVMP-300）：多通道阻抗谱测量

8.X射线光电子能谱仪（ThermoScientificK-Alpha+）：表面元素价态分析

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与电子施主检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。