检测项目
1.载流子浓度：测量范围110~110⁰cm⁻，精度3%
2.霍尔迁移率：测试范围10~10⁵cm/(Vs)，温度条件77K~300K
3.活化能分析：能量分辨率≤0.01eV
4.电阻率：量程110⁻⁴~110⁶Ωcm
5.缺陷态密度：灵敏度≥110⁰cm⁻eV⁻
6.热稳定性：温控范围-196℃~600℃，升降温速率0.1~50℃/min
检测范围
1.半导体材料：硅（Si）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）单晶/薄膜
2.光伏材料：钙钛矿薄膜、CIGS薄膜组件
3.导电高分子材料：PEDOT:PSS、聚苯胺薄膜
4.热电材料：Bi₂Te₃基合金、方钴矿化合物
5.储能器件：锂离子电池正极材料（NCM、LFP）
6.显示器件：OLED有机发光层薄膜
检测方法
1.霍尔效应测试：ASTMF76-08(2020)、GB/T1551-2009
2.四探针电阻率测量：ASTMF84-20、ISO3917:2016
3.深能级瞬态谱（DLTS）：IEC60749-32:2020
4.光致发光光谱（PL）：GB/T35031-2018
5.电化学阻抗谱（EIS）：GB/T13343-2008
6.热激电流法（TSC）：ISO18516:2019
检测设备
1.四探针电阻测试仪（LorestaGPMCP-T700）：测量表面/体积电阻率
2.霍尔效应测试系统（LakeShore8404）：支持变温磁场环境测试
3.半导体参数分析仪（KeysightB1500A）：IV/CV特性曲线分析
4.深能级瞬态谱仪（PhysTechHERA-DLTS）：缺陷态密度定量分析
5.光致发光光谱仪（EdinburghFLS1000）：带液氮冷却样品台
6.热分析系统（NetzschSTA449F5）：同步热重-差示扫描量热联用
7.电化学工作站（Bio-LogicVMP-300）：多通道阻抗谱测量
8.X射线光电子能谱仪（ThermoScientificK-Alpha+）：表面元素价态分析